北京
国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“AlN单晶及其生长方法”的专利，公开号CN122327361A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种AlN单晶及其生长方法，该生长方法包括：提供AlN籽晶以及内部填充有AlN原料的坩埚；将AlN籽晶与坩埚的内壁连接，以使AlN籽晶悬浮在坩埚内并与AlN原料相对设置；将坩埚放置在生长炉内并使生长炉内保持真空；将生长炉的温度由室温升温至预设保温温度后保温第一设定时间，且同时持续向生长炉内通入第一保护气，以保护AlN籽晶并去除坩埚中的杂质；将生长炉内的温度由预设保温温度升温至预设生长温度，且同时持续向生长炉内通入第一保护气，以生长AlN单晶；将生长炉内的温度由预设生长温度降温至室温，并在室温下破真空后取出生长的AlN单晶；降温速率呈阶梯变化。该生长方法有效减少晶体中的缺陷，可以获得高质量、大尺寸、高一致性的AlN单晶。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息427条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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