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据韩国媒体TheElec报道，SK海力士正在与多家半导体设备厂洽谈清州P&T7工厂所需的半导体检测设备供应事宜，并协调明年可交付的设备数量。
资料显示，P&T7是SK海力士在忠清北道清州科技城工业园区建设的下一代半导体后端封装和测试工厂，也是SK海力士继M11、M12、M15和M15X之后，在清州建设的第五个生产基地。
P&T7投资额达129亿美元，其中三层楼用于WLP（晶圆级封装，Wafer-level packaging）产线，预计2028年2月完工，另外七层楼用于WT（晶圆测试，Wafer Test）产线，目标2027年10月完工。该先进封装工厂将用于生产高带宽内存（HBM）等关键AI存储器产品。项目于2026年4月开工。
SK海力士清州园区P&T7
据业界估算，SK海力士此轮采购约涵盖200台设备，其中包括HBM4测试仪，按单台15亿至20亿韩元计算，订单总金额最高可达4000亿韩元。
报道指出，业内人士表示，由于测试设备所用元件供应困难，半导体制造商现在将及时交付能力视为关键的竞争因素。设备公司正在采购订单下达之前就确保供应链畅通，并积极协商交付数量和交货时间。
作为全球知名的存储厂商，为了积极应对全球对人工智能存储器快速增长的需求，SK海力士制定了一项总额达1100万亿韩元的中长期投资战略，投资范围涵盖龙仁、清州和西南地区。SK海力士计划分阶段投资600万亿韩元于龙仁，100万亿韩元于清州，400万亿韩元于西南地区。
- 龙仁地区：为了满足快速增长的DRAM需求，SK海力士加快了龙仁半导体产业集群的建设，目标是在2033年完成第四座晶圆厂的建设，而原计划的目标时间为2045年。同时对生产设施和设备的投资将继续分阶段进行，使龙仁半导体产业集群的总投资达到600万亿韩元。
- 清州地区：作为扩大NAND闪存产能计划的一部分，SK海力士将在清州投资100万亿韩元，用于建设新的NAND闪存晶圆厂、安装生产设备以及扩大用于HBM后端加工的先进封装能力。随着人工智能数据中心等因素推动高性能存储器需求持续激增，SK海力士计划将清州进一步发展成为涵盖NAND、HBM和先进封装的综合制造中心。
- 西南地区：尽管SK海力士在龙仁和清州持续扩大产能，但即便两地工厂全面投产后，存储器需求预计仍将持续增长。为了满足未来需求而不中断生产，需要建设另一个大型制造中心。因此，SK海力士计划投资400万亿韩元，在西南地区打造新的半导体产业集群。该投资将分阶段进行，涵盖土地购置、晶圆厂建设和生产设备安装。
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