北京
国家知识产权局信息显示，超微时代（重庆）能源科技有限公司申请一项名为“同位素源载体、同位素源和同位素源的制备方法”的专利，公开号CN122314485A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明涉及同位素源技术领域并公开一种同位素源载体、同位素源和同位素源的制备方法，所述同位素源载体包括预设曲率形状记忆层和待加载层，预设曲率形状记忆层具有在第一预设温度下的第一形状状态和在第二预设温度下的第二形状状态，预设曲率形状记忆层具有在第一形状状态下朝预设曲率形状记忆层的厚度方向上凹陷的第一面，待加载层设在预设曲率形状记忆层上，待加载层的形状与预设曲率形状记忆层的形状适配。该同位素源载体可以克服如何确保同位素源的平整性的技术问题，待加载层在加载同位素的过程中会产生一定的生长应力，预设曲率形状记忆层通过设定特定曲率半径可以抵消待加载层的生长应力，从而可以得到预定形状的同位素源。
天眼查资料显示，超微时代（重庆）能源科技有限公司，成立于2024年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10570万人民币。通过天眼查大数据分析，超微时代（重庆）能源科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息16条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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