北京
国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“氮化硅波导的检测结构及方法、半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN122307826A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种氮化硅波导的检测结构及方法、半导体器件及其制备方法，所述检测结构包括光栅耦合器，用于耦合可见光；模场转换单元，与所述光栅耦合器连接，并列设于所述氮化硅波导靠近输入光耦合区一端，所述模场转换单元与临近的所述氮化硅波导构成定向耦合器，用于将可见光耦合进入临近的所述氮化硅波导并在所述氮化硅波导中向所述输出光耦合区传导；填充包层，包覆所述光栅耦合器及所述模场转换单元，且填充所述模场转换单元与所述氮化硅波导之间的间隙。本申请可低成本且高效地检测氮化硅波导的外观缺陷。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目301次，财产线索方面有商标信息115条，专利信息2261条，此外企业还拥有行政许可88个。
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目81次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息654条，此外企业还拥有行政许可211个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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