国家知识产权局信息显示,西安中核核仪器股份有限公司;西安工业大学申请一项名为“一种用于核辐射探测器窗口的聚酯薄膜表面铝膜制备方法”的专利,公开号CN122279484A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,本发明公开了一种用于核辐射探测器窗口的聚酯薄膜表面铝膜制备方法,该方法在聚酯薄膜基体上采用磁控溅射离子镀技术进行镀膜沉积,得到镀铝超薄聚酯薄膜。本发明选取几微米厚的聚酯薄膜,该类薄膜具有较强的化学和物理稳定性,耐摩擦,耐化学药品性,耐高温及韧性强等优点,易于加工和检测,选用铝作为膜层材料,因其从紫外光区到红外光区都具有很高反射率,且铝不会轻易的产生感生放射,即不会有二次放射性,进而不会影响后续的检测,得出精确的测量结果,设计的镀铝超薄聚酯薄膜包括聚酯薄膜和在所述聚酯薄膜两面镀制的铝膜,是制备核辐射探测器窗口的优良材料。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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