北京
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国家知识产权局信息显示，广州智光电气技术有限公司申请一项名为“高压级联储能系统的MOSFET并联方法、电路”的专利，公开号CN122292479A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请公开了一种高压级联储能系统的MOSFET并联方法、电路，所述方法包括建立与目标驱动控制芯片连接的至少一个驱动回路；搭建多个MOSFET并联的单相全桥逆变电路，通过所述至少一个驱动回路实现对多个并联MOSFET的驱动控制。通过本申请优化布局降低杂散参数、优化驱动配置电路布局和优化载流回路布局以及优化散热布局，实现了单个驱动回路即可实现多个MOSFET并联。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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