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6月23日，三星电子宣布，已成功开发出业界首款通用闪存存储（UFS）5.0产品系列，专为设备端AI（On-Device AI）环境进行优化。该方案基于三星第九代V-NAND（V9）闪存技术，并遵循JEDEC最新嵌入式存储接口标准，旨在满足端侧AI对高速、低延迟数据处理的严苛需求。
在性能方面，UFS 5.0实现了跨越式升级。其最高顺序读取速度可达10.8GB/s，顺序写入速度高达9.5GB/s，整体性能较上一代UFS 4.1标准提升超过一倍。这将显著缩短大型AI模型的加载时间，并大幅降低端侧运行大语言模型（LLM）时的延迟，提升设备响应速度。
与此同时，UFS 5.0的能效表现同样亮眼。通过引入时钟门控和多电压等创新技术，其在传输同等数据量时的功耗相比UFS 4.1降低了40%以上，有助于延长下一代移动设备的电池续航时间。
UFS 5.0采用了超紧凑的封装设计，尺寸仅为7.5mm × 13mm × 0.9mm，体积比前代产品缩小了16.7%。更小的尺寸为智能手机、可穿戴设备及扩展现实（XR）设备等终端提供了更高的内部空间利用率和设计灵活性。三星计划提供最高1TB的多种容量版本。
三星电子存储器事业部产品规划团队负责人崔章锡表示：“在设备端AI时代，存储设备正在演变为定义AI体验的关键要素。”
三星计划于今年第四季度（Q4）正式启动UFS 5.0的量产，并逐步扩大供应，覆盖旗舰智能手机、XR头显及AI可穿戴设备等下一代终端市场。据TrendForce数据，三星电子2026年第一季度以31.6%的市场份额位居NAND闪存市场榜首，此次率先推出UFS 5.0，有望进一步巩固其市场领导地位。
编辑：芯智讯-浪客剑
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