北京
国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种原子层沉积设备及使用方法”的专利，公开号CN122214829A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开一种原子层沉积设备及使用方法，所述原子层沉积设备包括：基座组件，设置于反应腔的内部底部；喷淋头，设置于反应腔的顶部，用于向反应腔内通入工艺气体和第一吹扫气体；抽气口，设置于反应腔的底部或侧壁上，用于将未参与反应的工艺气体抽出至反应腔外；且位于反应腔的内部底部并远离抽气口的区域形成死区；至少一个死区吹扫管路，其一端与第二吹扫气体源连通，另一端通过设置于反应腔上的进气口与反应腔连通；进气口位于晶圆的下方且位于抽气口的相对侧；死区吹扫管路上设有第一增压装置，用于将第二吹扫气体源输送的第二吹扫气体增压至第一预设气压；且增压后的第二吹扫气体经进气口通入所述反应腔内，以防止工艺气体聚集于死区。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目87次，财产线索方面有商标信息85条，专利信息1706条，此外企业还拥有行政许可88个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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