北京
有投资者在互动平台向中瓷电子提问：“请问：1、目前氮化铝薄膜陶瓷基板己成为800G，1.6T，3.2T光模块‘非气密封装’方案的主流刚需？公司氮化铝薄膜陶瓷基板产能利用率及下游供需状况？是公司CPO陶瓷基板研发进展如何？ 2、目前公司第三代半导体氮化镓及碳化硅业务进展情况如何？”
针对上述提问，中瓷电子回应称：“您好，全球新一轮AI技术爆发带动算力需求激增，直接拉动了数据中心建设和升级，从而对光模块产生了爆炸性需求。作为光模块封装关键材料，陶瓷外壳和基板市场需求快速增长，特别是氮化铝薄膜基板作为低成本非气密封装方案的关键封装材料呈现供不应求的情况。2026年一季度受益AI算力、高端光通信行业高景气，光模块用陶瓷外壳、陶瓷基板订单大幅放量，产能利用率维持高位，电子陶瓷板块实现营收和利润同比大幅增长，是公司当期业绩增长的核心支撑板块之一。同时，公司持续关注多元技术路线，强化前瞻布局与技术储备。第三代半导体氮化镓领域：子公司博威积极推进新一代移动通信射频芯片与器件关键技术突破和产品研发与产业化工作，在氮化镓通信基站射频芯片与器件以及微波点对点通信射频芯片与器件领域，持续推进新一代产品系列化开发和产业化转化工作；同时，博威公司持续加大研发投入力度，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程，在现有业务基础上培育新增长点。第三代半导体碳化硅领域：子公司国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，进一步抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众碳化硅MOSFET在头部车企量产应用，产品性能优异，供货能力和可靠性得到用户认可，在终端市场具有技术先进性和充分竞争力。”
本文源自：市场资讯
作者：公告君
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