北京
国家知识产权局信息显示，华通芯电（上海）集成电路科技有限公司申请一项名为“一种Si VDMOS器件及电子设备”的专利，公开号CN122180113A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，提供一种Si VDMOS器件及电子设备，Si VDMOS器件包括Si VDMOS芯片，所述Si VDMOS芯片包括自下而上依次连接的漏极电极、衬底及外延层，所述外延层内设置P型掺杂区及N型掺杂区，所述外延层背向所述衬底的一面设置绝缘介质层及若干个源极，所述绝缘介质层背向所述外延层的一面设置若干个栅极，若干个所述源极及若干个所述栅极形成有源区，所述绝缘介质层连接金属环，所述金属环环绕所述有源区，所述金属环与所述有源区之间的距离大于或等于150μm，所述金属环连接电位结构，所述电位结构的电位与所述漏极电极的电位相等。通过采用上述结构，能够从根源上抑制银离子迁移。
天眼查资料显示，华通芯电（上海）集成电路科技有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，华通芯电（上海）集成电路科技有限公司专利信息4条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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