北京
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国家知识产权局信息显示，舍弗勒技术股份两合公司申请一项名为“功率模块、逆变器以及制造功率模块的方法”的专利，公开号CN122123201A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种功率模块（LM），其包括：具有可烧结顶侧电接触表面（KF1）的功率半导体元件（LE）；具有可烧结底侧（US）和可键合顶侧（OS）的键合元件（BE），用于形成顶侧键合连接（BV1）；双侧可烧结的连接元件（VE），其设有底侧可烧结纳米结构（NS1）和顶侧可烧结纳米结构（NS2），并通过底侧纳米结构（NS1）与功率半导体元件（LE）的顶侧接触表面（KF1）以及通过顶侧纳米结构（NS2）与键合元件（BE）的底侧（US）进行烧结，从而在物理与电气上将键合元件（BE）与功率半导体元件（LE）的顶侧接触表面（KF1）连接。本发明还描述了一种带有所述功率模块（LM）的逆变器以及一种制造功率模块（LM）的方法。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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