北京
国家知识产权局信息显示，江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“一种沟槽式功率MOSFET及其制备方法”的专利，公开号CN122121202A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽式功率MOSFET及其制备方法，具体步骤包括：S1）形成P阱区及图案化的场氧化层图形；S2）在场氧化层图形侧壁形成侧壁氮化硅；S3）以二者为掩模刻蚀沟槽并形成栅极氧化层；S4）在所述沟槽内填充导电材料，形成栅极；S5）去除侧壁氮化硅后，以场氧化层图形为掩模进行N+源区注入；S6）沉积并平坦化介电层；S7）移除场氧化层并对其下硅进行过刻蚀,形成接触窗口；S8）通过该窗口进行P+接触区注入；S9）填充金属层，完成器件制作。本发明从根本上消除了传统工艺中沟槽光罩与接触孔光罩之间的套刻误差对元胞尺寸的限制。
天眼查资料显示，江苏应能微电子股份有限公司，成立于2012年，位于常州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本4286.5339万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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