北京
国家知识产权局信息显示，上海瀚薪科技有限公司;西安瀚薪楷智半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法”的专利，公开号CN122121228A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请涉及电力电子器件技术领域，提供了一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该碳化硅MOSFET器件的源区结构包括：一第一n型区，为氮离子注入区，其横向边界与p型阱区的边界自对准；一第二n型区，为磷离子注入区，且位于第一n型区内；第一n型区的横向延伸宽度大于第二n型区的横向延伸宽度，两者横向边界之间具有固定的横向偏移量；第二n型区的横向边界相对于多晶硅栅极的边缘向内退缩，形成横向缓冲间隙，用于使第二n型区的高浓度磷注入损伤区偏离栅极氧化物层；一金属硅化物层，位于第二n型区上方，用于形成源区接触。本申请通过自对准工艺将磷注入区内缩，在利用磷的高固溶度降低接触电阻的同时保护栅氧层。
天眼查资料显示，上海瀚薪科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本20374.3439万人民币。通过天眼查大数据分析，上海瀚薪科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可1个。
西安瀚薪楷智半导体有限公司，成立于2025年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安瀚薪楷智半导体有限公司共对外投资了2家企业。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
