北京
中经记者 孙汝祥 夏欣 北京报道
上交所官网显示，5月27日，上交所上市审核委员会审议通过长鑫科技科创板IPO申请。
《招股说明书（上会稿）》显示，长鑫科技IPO拟募资金额295亿元，资金使用将围绕公司主营业务展开，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
长鑫科技称，公司产能规模已位居中国第一、全球第四，但距离DRAM行业前三家国际头部厂商仍有一定差距，且产能规模亦远低于国内庞大的市场需求。随着本次上市募集资金建设项目的稳步推进，公司将加速工艺升级，从而实现更低的单位成本，更强的市场竞争力及盈利能力，更有效地满足未来全球下游市场旺盛的需求，助力公司在全球 DRAM市场中占据更有利的地位。
长鑫科技表示，公司自设立以来一直致力于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，现已发展成为我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。公司已具备一定的规模效应并持续进行技术迭代和产能建设，同时通过不断创新的自主研发保持技术持续领先。公司业务发展前景良好，财务健康，具有较强的持续经营能力。
财报显示，报告期内（2023—2025年），长鑫科技凭借不断优化的产品结构、持续迭代的工艺水平、日臻成熟的运营能力以及广泛的市场认可，营业收入持续增长，净亏损幅度快速收窄并于2025年实现盈利。
（编辑：夏欣 审核：李慧敏 校对：翟军）
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