长鑫科技IPO过会，市值冲击2万亿，将成科创板史上第二大IPO

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5月27日，国产存储芯片领域迎来里程碑时刻。据上交所官网公告，长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO申请获上市委会议审议通过。从2025年12月30日获受理，到2026年5月27日过会，这家中国最大、全球第四的DRAM厂商历时不到五个月即完成审核流程，成为科创板首单适用“预先审阅”机制的项目。

按295亿元的拟募资额计算，长鑫科技将成为科创板历史上融资规模第二大的IPO，仅次于中芯国际的532.3亿元。若成功发行，公司有望跻身科创板市值最高的半导体企业阵营。

综合 | 上交所 招股书 编辑 | Echo

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长鑫科技的财务数据，是此次IPO审核中最具冲击力的叙事。2023年至2024年，公司归母净利润分别为-163.4亿元和-71.45亿元。2025年公司实现盈利，归母净利润达18.75亿元。

进入2026年，DRAM价格持续飙升叠加产能爬坡，业绩迎来爆发式增长。第一季度，公司营业收入达508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比增长16.88倍。

毛利率从2023年的-24.7%跃升至2025年的41.0%，2026年一季度进一步逼近65%的高位。公司预计上半年营收1100亿至1200亿元，归母净利润500亿至570亿元。

这一业绩反转的关键变量，是AI算力需求激增带动的全球DRAM超级周期。自2025年下半年起，DRAM产品价格大幅上涨，AI服务器对高容量、高带宽内存的强劲需求使供需缺口持续扩大。公司预计的价格快速上涨趋势，叠加规模效应持续兑现，为后续利润释放提供了基本面支撑。

长鑫科技的市场地位同样持续提升。根据Omdia数据，以产能和出货量计，公司已是中国第一、全球第四的DRAM厂商。按2025年第二季度DRAM销售额统计，全球市场份额约3.97%；到第四季度，这一数字已跃升至7.67%。在三星、SK海力士、美光长期垄断全球90%以上DRAM市场的格局中，长鑫科技是唯一具备冲击第一梯队潜力的中国企业。

股权结构上，公司无控股股东，第一大股东为合肥清辉集电（持股21.67%），长鑫集成（11.71%）、大基金二期（8.73%）、合肥集鑫（8.37%）、安徽省投（7.91%）构成前五大股东，合计持股超58%。此外，阿里云计算持股3.85%，兆易创新持股1.80%，腾讯、小米等亦在股东名单中。

值得注意的是，创始人和董事长朱一明同时担任兆易创新董事长，兆易创新也是长鑫科技DRAM产品的代工方，两家公司在资本、技术与订单之间形成了深度产业链协同。

本次拟募资295亿元，将主要投向存储器晶圆制造量产线技术升级（75亿元）、DRAM存储器技术升级（130亿元）及前瞻技术研发（90亿元），募集资金集中于“技术代际追赶+产能规模扩张”两大主线。

截至2025年底，公司已拥有合肥、北京三座12英寸DRAM晶圆生产基地，月产能合计约28万至30万片，产能利用率维持在95%以上。根据爱建证券测算，若实现国产化，国内DRAM仍有近4倍扩产空间。

在技术路线方面，公司已覆盖DDR系列和LPDDR系列全品类，产品从DDR4、LPDDR4X延伸至DDR5、LPDDR5/5X。面向AI算力需求的HBM产品也在持续推进研发，有望成为公司中长期增长的核心驱动力。产能扩张的最终目标，是缩短与三星、SK海力士、美光三巨头在先进制程上的代际差距。

长鑫科技的产业链地位，决定了其IPO不仅是一家公司的资本化事件，更是整个国产半导体产业链的价值重估锚点。

从上游看，公司2025年原材料采购总额约114.7亿元，国产设备采购占比已达四至五成，部分核心工序国产化率突破60%。这直接驱动了上游设备及零部件厂商的订单放量。从下游看，公司客户覆盖三星、SK海力士、美光等国际巨头，以及华为、小米、OPPO、vivo等国内头部品牌，国产替代在存储芯片核心环节的落地节奏已实质性加快。

在竞争格局层面，2025年全球DRAM市场前三强合计份额超90%，存储芯片高度集中的产业特征决定了追赶路径需要长期积累。长鑫科技的产能释放、产品迭代和良率提升速度，将直接关系中国能否在全球存储芯片领域建立自主可控的供应能力。

长鑫科技的故事始于2016年在安徽合肥的成立。彼时，国内DRAM产业积累几乎为零，而全球DRAM市场已被三星、SK海力士、美光牢牢把控十余年。历时近十年，公司不仅完成了首颗DRAM芯片的研发量产，更完成了产能爬坡、产品代际升级和市场地位跃升的全链条能力构建。

目前，公司在国内DRAM市场份额已达7.67%，稳居中国第一、全球第四。从亏百亿到单季赚逾247亿，长鑫科技的IPO过会，是中国存储芯片产业从“技术突围”跨入“价值兑现”阶段的注脚。

与此同时，持续高强度的资本开支、行业周期波动风险及地缘政治带来的供应链安全考量，仍是长鑫科技在下一发展阶段需要应对的核心课题。

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