北京
国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“绝缘体上硅衬底及其制备方法”的专利，公开号CN122073992A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本公开提供了绝缘体上硅衬底及其制备方法，包括：执行第一次离子注入以得到第一施主衬底；将第一施主衬底与第一支撑衬底键合成第一键合片；分离第一键合片，以形成包括第一顶层硅层的中间衬底；对中间衬底进行中间平坦化处理，以形成平坦化中间衬底；对平坦化中间衬底进行第二次离子注入，以在经第二次离子注入的平坦化中间衬底的第一顶层硅层内部形成第二剥离平面；将经第二次离子注入的平坦化中间衬底与第二支撑衬底键合成第二键合片；分离第二键合片，以形成第一绝缘体上硅结构和第二绝缘体上硅结构，第一绝缘体上硅结构的顶层硅厚度小于第二绝缘体上硅结构的顶层硅厚度；对第一绝缘体上硅结构进行最终平坦化处理，以形成目标绝缘体上硅衬底。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目13次，专利信息1585条，此外企业还拥有行政许可24个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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