国产存储双雄集体冲向A股

21世纪经济报道记者 吴佳楠

近期，国产存储芯片利好消息不断。

5月17日，长鑫科技更新科创板IPO招股书，披露了炸裂的业绩数据，2026年一季度，公司实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比暴增1688%。

5月19日，长江存储控股股份有限公司发布首次公开发行股票并上市辅导备案报告。

消息一出，5月20日开盘，存储器指数涨1.02%。

伴随大模型推理、AI服务器及数据中心对高容量存储芯片的需求井喷，DRAM和NAND Flash双双进入新一轮超级周期。

两家公司分别聚焦存储领域的不同技术路线，长鑫科技专攻DRAM，长江存储主攻3D NAND闪存芯片，由此共同构成了中国存储产业的双引擎，二者的冲刺上市，将为A股注入真正的存储龙头标的，其估值体系也将与国际巨头估值体系对标，市场对两家公司抱有万亿市值的想象空间。

值得注意的是，国产存储双雄相继加速资本化进程，募集资金将有力支撑其大规模产能扩张与技术迭代升级，其背后带动的是一条中国存储产业链的结构性机遇。

上市之后，长鑫科技和长江存储也将接受公开市场的审视，它们的竞争对手早已不是国内同行，而是国际巨头，这个转变意味着市场给的估值锚点将从自主创新溢价逐步切换到全球市场份额对标，全球存储市场的格局或将迎来深刻重塑。

DRAM与NAND的双雄突围

存储芯片，被称为AI时代的数据粮仓，主要分为内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）两类。内存断电后数据会立即消失，专门为高速运算服务，比如电脑内存条、手机的运存；闪存容量更大、成本更低，断电后数据不会丢失，比如电脑里的固态硬盘、手机标注的存储空间和日常使用的U盘等。

长鑫科技和长江存储二者的主攻方向恰好对应这两大类别，长鑫科技做DRAM，长江存储做NAND，分别卡住了存储产业最核心的两条赛道。

长鑫科技已完成 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 等产品覆盖和迭代升级，2025年11月，长鑫发布DDR5产品系列，速率达8000MT/s，颗粒容量和速率处于国际领先水平。长鑫17nm DDR5芯片实现规模化出货，良率突破90%，核心性能与国际一线产品差距不足5%。

产能方面，长鑫在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计2026年现有三厂产能全部达产。招股书显示，报告期内，公司产能处于持续建设状态，DRAM产品销量快速增长，DDR系列和LPDDR系列的销量复合增长率分别高达107.16%和76.93%，均呈现快速上升趋势。

根据Omdia的数据，按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。目前，公司已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业核心客户开展了深度合作，进入服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各大领域。

长江存储主攻3D NAND闪存芯片，也是国内唯一能自主研发、生产3D NAND闪存的IDM厂商。公司自主研发了Xtacking晶栈架构，该技术通过将外围电路与存储单元分别制造于两片独立的晶圆上，再通过垂直互联通道进行键合，大幅提升传输效率和存储密度。

产能方面，公开信息显示，长江存储在武汉已有两座晶圆厂，合计月产能约20万片；武汉三期项目已进入设备安装阶段，预计年内投产，计划在2027年实现约5万片/月阶段性产能目标。

另外，长江存储自主研发的Xtacking架构已实现232层以上堆叠3D NAND Flash量产，产能设备国产化率达45.00%，并计划启动全国产化设备产线试生产。

从财务表现看，两家公司业绩呈现爆表态势。据招股书披露，长鑫科技预计，2026年1—6月归母净利润500亿元至570亿元，同比大幅增长2244.03%至2544.19%。这意味着今年上半年，长鑫科技预计至少日赚3.6亿元。

根据市场研究机构数据，长江存储2025年前三季度营收约320.84亿元，同比增长97.79%；2026年第一季度营收突破200亿元，较去年同期实现翻倍增长。在全球NAND Flash市场，公司的出货量份额已超过10%。

在估值量级层面，两家公司均获得了资本市场的高度预期。长鑫科技此次IPO拟募资295亿元，这一规模仅次于中芯国际，有望成为科创板开板以来募资规模第二大的IPO项目，填补A股市场真正存储芯片IDM企业标的的空白。有机构估算，按照2026年归母净利润1500亿元—2000亿元、20倍市盈率测算，长鑫科技市值至少达3万亿元，甚至有部分机构人士给出4万亿元以上的估值。

长江存储母公司长存集团于2025年9月完成股改后估值约1616亿元。如今市场普遍预计，长江存储上市后，市值至少将达到5000亿元至8000亿元，甚至突破万亿元。

两家预期市值合计将撑起一条万亿赛道，在科创板当前市值结构中，这意味着存储产业链可能成为仅次于芯片制造的权重板块。

长鑫和长江存储同时迎来业绩和估值的双重爆发，不仅仅是巧合，源于全球存储产业正在经历一场史无前例的供需裂变。

供给端上，三星、SK海力士将70%以上的DRAM产能优先锁向高带宽内存，缩减通用DRAM和消费级NAND的产能投放。需求端上，单台AI服务器内存配置是普通服务器的8到10倍，全球超三分之二的DRAM产能被AI与服务器市场消化，Meta、微软、谷歌通过长期协议提前锁定绝大部分可用产能。

供需缺口撕开了行业史诗级涨价的窗口。根据TrendForce数据，2026年二季度价格还在加速上涨，预计传统DRAM将继续上涨58%-63%，NAND Flash上涨70%-75%。

高盛直称全球存储芯片市场正面临过去15年来最严重的供应短缺，并大幅上调2026年存储芯片价格预测，预计DRAM全年涨幅达250%-280%，NAND闪存涨幅达200%-250%，预计存储芯片短缺至少延续至2027年，部分高端产能可能持续到2028年。

全球存储格局重塑前夜

两家存储龙头竞速上市带来强烈的市场高预期，不仅在于企业自身能赚多少钱，还在于国产半导体产业链迎来的结构性机遇。

过去，国产半导体设备和材料缺乏验证机会，但长江存储和长鑫科技的出现，扭转了这一局面。市场数据显示，目前，长江存储武汉三期工厂的国产设备占比已达到52%，其中刻蚀机、薄膜沉积、清洗、检测等设备的国产化率超过60%；长鑫存储的国产设备占比也达到了45%。

两家企业作为IDM模式的代表，其扩产和上市将直接拉动产业链上游的IP、EDA软件、半导体设备及零部件、材料，到中游环节的DRAM设计、晶圆制造以及封装测试环节的自主创新。

随着长江存储三期工厂国产设备采购占比逐渐提升，核心设备自研与本土化替代加速，北方华创、中微公司、拓荆科技等国产设备厂商直接受益于扩产订单；鼎龙股份、安集科技、南大光电等材料供应商有望随产能爬坡迎来量价齐升。

长鑫科技作为国内最大的DRAM厂商，则成为国产半导体设备最重要的验证和应用平台，国内的存储产业链也在围绕长鑫科技加速集聚。兆易创新（603986.SH）是长鑫科技的关联公司，两家公司董事长均为朱一明，兆易创新2026年预计从长鑫科技采购代工DRAM约57亿元人民币，而上一年的采购额是11.8亿元。

招股书显示，长鑫2025年的采购数据中，化学品、光阻剂和硅片的采购占比分别达到37.29%、12.16%和8.55%，国内材料厂商正迎来放量拐点。

目前，在设备国产化浪潮中，中微公司（688012.SH）的刻蚀设备、北方华创（002371.SZ）的PVD/CVD设备、精智达（688627.SH）的存储测试设备、拓荆科技（688072.SH）的薄膜沉积设备、长川科技（300604.SZ）的测试设备、盛美上海（688082.SH）的湿法清洗设备等国产设备正加速导入供应链。

多家行业机构观点认为，长鑫科技连续两个季度业绩大幅超出市场预期，未来两至三年产能扩建计划落地确定性增强，整个国产存储产业链具备长期布局价值。

招商证券研究认为，长鑫目前单座DRAM产线投资超百亿美元，随着制程升级设备投入进一步攀升，有望带动设备开支持续提升，预计存储产线扩产有望提速，随着国内设备技术水平持续突破，国产化率将持续提升，前道及后道先进封装设备订单增长趋势明确。此外，存储设备订单向好有望向零部件厂商拉货，零部件订单及收入有望快速增长，同时随着国内材料产品工艺能力不断增强，产能突破瓶颈后收入利润有望持续增长。

除了对国产存储产业链价值的重塑，长鑫科技、长江存储两家公司在有史以来最强景气周期的当下，带来的更深刻意义在于，向全球展现了中国终于有了能在存储关键赛道上充分参与全球竞争，并且业绩快速增长的公司。

过去，全球DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光三家垄断。根据Omdia的数据，基于销售额测算，2025年三星电子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市场的占有率分别为33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企业合计占全球DRAM市场90%以上的市场份额。

随着长鑫科技逐步进入主要厂商阵营，长鑫科技的全球份额在快速增长。根据Omdia的数据，2025年二季度，其市场份额还是3.97%，四季度已经到了7.67%，半年时间市场份额上升了近一倍。

NAND闪存市场亦是如此，三星、SK海力士、铠侠、美光、闪迪占据超90%的市场份额。不过，长江存储的NAND芯片产量正在逼近。

Counterpoint的数据显示，2025年第一季度长江存储全球NAND闪存出货量份额首次达到10%，第三季度进一步增长至13%，接近美光科技。长江存储设定的目标是，2026年底前将全球销售份额拉高至15%，届时产能将占全球供应量的约20%，有望超越日本铠侠，直逼韩国SK海力士。

据集邦咨询预测，长江存储2025年NAND Flash市占率约为12%；长鑫科技DRAM市场份额约为4.5%。

不过需要看到的是，尽管市场份额逐步提升，但国产存储双雄与国际巨头相比仍有一定差距。HBM是这轮AI算力行情里利润最丰厚的DRAM品类，也是三大国际厂商最重要的利润来源，目前SK海力士已量产HBM3E/HBM4，但长鑫目前的产品组合以DDR和LPDDR为主，尚未将HBM作为主要产品纳入招股书。

此外，存储行业具有强周期特征，当三星、SK海力士等巨头补足消费级内存产能后，市场可能进入下行周期，长鑫的爆发式利润能否持续面临考验。

三星半导体（DS）部门前总裁庆桂显（Kye-hyun Kyung）在近期公开表示，内存价格的大幅上调推动中国进行大规模的芯片制造产能扩张。如果这些扩产投资取得成功，市场将很快迎来大量新增供应，并迫使内存价格回归理性，市场格局可能会在明年下半年或2028年上半年发生转变。

长江存储技术追赶速度加快，但在NAND层数上仍需持续突破。同时，产能扩张需要巨额资本投入，三期及后续工厂能否按时达产、良率能否稳步提升，都是影响长期竞争力的关键变量。

眼下，两家存储龙头相继冲向A股，资本市场对此看法两极分化。看好的一方觉得，这类硬核科技企业上市，能补齐A股短板，甚至可能成为中长期牛市的重要支撑。而持谨慎态度的人则担心，现在资金都在AI细分赛道上抱团，市场上本就没多少余粮，如此大手笔的IPO很可能会把场内仅存的流动性抽干。