上海
截至2026年5月20日09:52，上证科创板芯片指数(000685)强势上涨2.54%，成分股中科飞测上涨15.35%，翱捷科技上涨7.55%，联芸科技上涨6.85%，中芯国际，澜起科技等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨2.49%，冲击3连涨。最新价报3.83元。拉长时间看，截至2026年5月19日，科创芯片ETF博时近1周累计上涨3.57%。
流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手4.79%，成交2928.25万元。拉长时间看，截至5月19日，科创芯片ETF博时近1年日均成交6419.10万元。
消息面上，存储巨头加速冲刺资本市场。5月19日，长江存储控股股份有限公司完成IPO辅导备案。长江存储是国内唯一3DNAND存储芯片厂商，据报道，长江存储在今年一季度收入已超过200亿元，同比翻倍增长，其NAND（闪存）芯片产量已超过全球市场的10%，逼近全球第三。
在AI算力爆发的强力驱动下，全球存储市场正迎来强劲的超级周期。主流存储芯片（DRAM与NAND）价格持续狂飙，其中2026年二季度NAND闪存合约价环比涨幅高达70%-75%，DRAM合约价也预计上涨58%-63%。
中银证券指出，AI热潮引发DRAM景气周期，存储巨头产能满载有望加速扩产。随着全球云服务科技大厂纷纷斥巨资掀起人工智能数据中心建设热潮，这推动了对于DRAM的较大需求。由于现有产能有限，这引发了整个DRAM市场的持续供不应求，价格快速上升。数据显示，2026年一季度DRAM价格已经上涨了80%~90%，多家DRAM厂商均表示二季度DRAM价格将进一步上涨，2026年产能已经售罄，甚至2027年产能也已经售罄，合约价格则都是需要逐季确定。不少业者甚至认为DRAM紧缺、涨价的趋势将延续到2028年。根据长鑫科技招股说明书，2023/2024/2025年公司产能利用率达到87.06%/92.46%/95.73%，产能利用率呈现稳步上升趋势。中银证券认为随着DRAM行业高景气度的延续，龙头公司产能利用率将维持高位，且有望加速扩产。
科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。
数据显示，截至2026年4月30日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为寒武纪、海光信息、中芯国际、澜起科技、中微公司、芯原股份、源杰科技、佰维存储、拓荆科技、华虹公司，前十大权重股合计占比63.08%。
科创芯片ETF博时(588990)，场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A：022725；博时上证科创板芯片ETF发起式联接C：022726)。
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