来源:市场资讯
(来源:IPO上市实务)
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在全球半导体存储产业被三星、SK海力士、美光三巨头垄断的格局下,中国曾长期面临“缺芯少存”的困境,DRAM芯片作为信息技术的核心基石,几乎完全依赖进口。2016年,一场始于合肥的“存储突围战”悄然打响,长鑫存储应运而生,而朱一明,这位从清华走出的创业者,自此踏上了一条耗时十年、布满荆棘却终见曙光的逆袭之路。从千亿元投入的豪赌,到连续多年的巨额亏损,再到如今冲刺科创板IPO、跻身全球第四,长鑫存储的十年,是中国半导体产业突围的缩影,更是朱一明用坚守与魄力,书写的一段逆袭传奇。
故事的起点,是一场“明知不可为而为之”的抉择。2016年5月,总投资高达1500亿元的长鑫存储DRAM基地项目在合肥启动,彼时的DRAM市场,三巨头占据全球90%以上的份额,技术壁垒、资金壁垒、专利壁垒三重夹击,国内尚无一家企业能实现规模化量产。此时的朱一明,已凭借兆易创新在Nor Flash领域站稳脚跟,成为国产半导体行业的领军者,但他深知,Nor Flash并非存储芯片的主流,中国要摆脱“无芯之痛”,必须攻克DRAM这一“硬骨头”。于是,他毅然推动兆易创新与合肥国资联手,催生了长鑫存储,开启了一场跨越十年的攻坚之旅。
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创业之路从无坦途,长鑫存储的起步,伴随着无数质疑与挑战。2017年11月,长鑫存储正式注册成立,专注于DRAM芯片的设计、研发、生产和销售,而朱一明在两年后做出了一个震惊行业的决定——辞去兆易创新总经理职务,仅保留董事长一职,出任长鑫存储CEO,并立下“项目盈利前不领一分钱薪酬”的军令状。这份破釜沉舟的决心,背后是他对国产存储产业的执念,更是对长鑫未来的坚定信心。初期,长鑫存储以破产的德国奇梦达技术为基础,消化吸收近3TB的技术数据,再结合先进设备迭代优化,逐步搭建起自己的技术体系,而这一过程,离不开持续的研发投入与人才积累。截至2021年,长鑫存储已拥有47位博士、918位硕士,组建起一支涵盖海外顶尖人才的研发团队,累计申请中国专利超2000件,用技术沉淀打破国外垄断的壁垒。
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“十年磨一剑”,磨的是技术,熬的是心性。从2016年项目启动,到2018年一期厂房建成、设备搬入,再到2019年8Gb DDR4芯片试产成功、亮相世界制造业大会,长鑫存储用三年时间实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。但突破之后,是更长时间的坚守与亏损。2016至2025年,长鑫存储累计亏损高达366亿元,巨额的研发投入、设备折旧、人才成本,让企业始终面临现金流的压力,朱一明也曾在量产爬坡期坦言“希望尽快投产,让现金流滚动起来”。即便在行业低谷期,朱一明也始终坚持逆周期布局:2023年全球DRAM价格暴跌40%,国际巨头纷纷收缩战线,他却带领长鑫逆势扩产,将月产能从9万片提升至15万片,同时加大研发投入,推行“跳代研发”,跳过17nm节点直接攻克16nm制程,为后续的爆发埋下伏笔。2023至2025年,长鑫存储累计研发投入达206亿元,研发费率远超国际巨头,这种不计短期得失的长期主义,成为其后来突围的核心底气。
机遇总是留给有准备的人,朱一明的坚守,终于在2025年迎来了转机。随着AI算力需求爆发,单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8-10倍,全球DRAM市场出现严重供需缺口,价格自2025年下半年起持续暴涨,部分高端产品价格涨幅甚至超过600%。而此时的长鑫存储,已完成DDR5、LPDDR5等高端产品的研发与量产,成为市场上为数不多能填补供给缺口的企业。
2025年底,长鑫存储首次实现扭亏为盈,2026年一季度更是迎来业绩井喷——营业收入508亿元,净利润330.12亿元,同比增长1268.45%,相当于日赚近4亿元,几乎填平了前十年的累计亏损。与此同时,长鑫存储的市场份额快速提升,2025年第四季度,其DRAM全球市场份额增至7.67%,跃居全球第四,成功在三巨头垄断的格局中撕开了一道口子,实现了产业层面的逆袭。
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业绩的爆发,为长鑫存储的IPO之路铺平了道路。2025年7月,长鑫存储正式启动科创板IPO辅导,中金公司、中信建投担任保荐机构,计划募资295亿元,主要用于DRAM技术升级、前瞻技术研发及产能扩建,目标估值约3000亿元。2026年5月,长鑫存储更新IPO招股书,审核状态恢复为“已问询”,标志着其上市进程全面提速,距离登陆科创板仅一步之遥。此次IPO,不仅是长鑫存储十年发展的里程碑,更是国产存储产业走向成熟的重要标志——它意味着中国不仅能自主研发生产DRAM芯片,更能在全球市场中与国际巨头同台竞技,实现从“解决有无”到“参与主流竞争”的跨越。
长鑫存储的十年逆袭,离不开合肥模式的支撑,离不开团队的坚守,更离不开朱一明的战略眼光与担当。这位54岁的创业者,从硅谷创业到深耕国产存储,从兆易创新到长鑫存储,始终以“打破垄断、实现国产替代”为己任,用十年时间,带领一群人、干成了一件事。他的逆袭,不是一蹴而就的幸运,而是“功成不必在我,功成必定有我”的坚守,是面对困境不退缩、面对机遇不犹豫的魄力,更是对中国半导体产业的赤诚与热爱。
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如今,长鑫存储的LPDDR6已进入送样阶段,有望2026年下半年全球首发,HBM3也已进入样品交付阶段,在高端存储领域持续突破。从创立时的举步维艰,到如今冲刺IPO、跻身全球前列,长鑫存储的十年,是一段“十年磨一剑”的坚守之路,更是中国半导体产业突围的缩影。而朱一明的逆袭,不仅是个人创业的成功,更彰显了中国创业者的韧性与担当——唯有坚守初心、深耕细作,方能打破垄断、铸就辉煌。未来,随着IPO的顺利推进,长鑫存储将获得更多资金支持,在朱一明的带领下,继续向全球存储产业的更高峰迈进,书写国产存储的新篇章。
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