北京
国家知识产权局信息显示，武汉鑫威源电子科技有限公司申请一项名为“一种GaN激光器的P电极结构及其制备方法和GaN激光器”的专利，公开号CN122068360A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种GaN激光器的P电极结构及其制备方法和GaN激光器，包括衬底以及设置于所述衬底上的介质层，所述介质层上设置有P电极，所述P电极包括以Ni层为底层的第一电极和以Ti层为底层的第二电极，所述第二电极环绕所述第一电极设置且与所述第一电极连接。本发明中第一电极以化学性质稳定的Ni层为底层，利用其优异的抗氧化性能，有效提升电极的长期电化学稳定性与抗老化能力，第二电极以对介质层具有强附着力的Ti层为底层，利用其与介质层形成牢固化学键合，显著提升电极的剪切强度，通过将第二电极环绕第一电极设置并与第一电极电连接形成一个整体作为P电极，使Ni层与Ti层共同作用，从而同时显著提升芯片的剪切强度和长期抗老化能力。
天眼查资料显示，武汉鑫威源电子科技有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2532.0132万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉鑫威源电子科技有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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