5月7日,韩国芯片设计服务商SEMIFIVE宣布与中国磁自旋芯片企业寒序科技合作,完成一款基于三星8LPU制程的eMRAM边缘AI芯片流片。这是亚洲首次商业部署8nm eMRAM技术,也是SEMIFIVE首次将该技术用于ASIC设计项目。
eMRAM的核心优势在于"非易失性"——断电后数据不丢失,无需像DRAM那样定期刷新。它采用磁隧道结(MTJ)结构,用自旋而非电荷存储信息,单元尺寸比SRAM更小,数据密度更高,且数据保留时间几乎无限。
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寒序科技这款芯片的关键设计在于PNM(近内存处理)架构。边缘AI推理的瓶颈从来不是算力不够,而是数据搬运的带宽限制。把计算单元搬到存储器旁边,减少数据来回搬运,2B参数规模的模型就能在端侧直接跑起来。
值得玩味的是合作分工:SEMIFIVE提供三星8nm代工渠道和ASIC设计服务,寒序科技负责磁自旋芯片技术和PNM架构。韩国设计服务+中国芯片架构+三星代工,这种三方组合在先进制程受限的背景下,成了边缘AI芯片的一条务实路径。
8nm eMRAM的商业落地,意味着端侧AI芯片有了新选项——不用最先进的制程,靠存储架构创新也能解决实际问题。对于需要低功耗、长待机的边缘场景,这可能比盲目追新制程更划算。
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