北京
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国家知识产权局信息显示，西安电子科技大学;陕西君普新航科技有限公司申请一项名为“一种深源极刻蚀宽禁带晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN121985555A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明属于半导体器件技术领域，针对现有的宽禁带晶体管容易发生单粒子烧毁的问题，本发明公开了一种深源极刻蚀宽禁带晶体管及其制备方法，该深源极刻蚀宽禁带晶体管包括基础组件，基础组件的上表面两端分别设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，源极与基础组件之间刻蚀有凹槽或通孔，凹槽或通孔与基础组件接触。本发明在传统结构的基础上，通过刻蚀源极下方至HEMT器件的缓冲层区域或者MISFET器件的体材料区域，采用电子束蒸发、溅射或电镀的方式淀积源极的欧姆金属，源极金属与缓冲层或衬底相互接触。该源极能够抽取栅极下方的空穴，降低器件内部的空穴积累，降低器件的单粒子烧毁风险，从而提高器件的抗单粒子能力。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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