北京
国家知识产权局信息显示，芯盛智能科技（湖南）有限公司申请一项名为“一种AI驱动的3D NAND闪存读电压自适应优化方法及系统”的专利，公开号CN121983103A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种AI驱动的3D NAND闪存读电压自适应优化方法及系统，涉及数据存储技术领域，包括：特征感知与预测阶段，采集3D NAND闪存存储单元的多维特征向量，输入轻量化AI预测模型，输出预测电压区间、偏移方向概率及预测置信度；自适应决策与寻优阶段，根据所述预测置信度与预设阈值的对比结果，选择对应的搜索策略，在预测电压区间或基准电压周边执行扫描，确定最优读电压；层级化知识构建与实时微调阶段，获取多源电压数据并进行动态加权融合得到初始电压，以初始电压为起点执行局部电压扫描完成微调，若微调后读取可靠性增益不足则启动渐进式安全回退机制。本发明实现了读电压的极高校准精度，同时降低了延迟与功耗。
天眼查资料显示，芯盛智能科技（湖南）有限公司，成立于2018年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本67571.4505万人民币。通过天眼查大数据分析，芯盛智能科技（湖南）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息154条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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