北京
国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“用于降低8英寸轻掺直拉单晶硅氧含量及改善面内氧分布均匀性的方法及单晶晶棒”的专利，公开号CN121976285A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，一种用于降低8英寸轻掺直拉单晶硅氧含量及改善面内氧分布均匀性的方法，所采用的热场结构包括：设置于石墨坩埚外围的加热器、设置于加热器外围的保温筒、以及设置于晶棒外围及熔体表面上方的热屏；所述热屏的主体结构从上而下呈先内收而后直接外扩的构型，且所述热屏中呈内收状的构型占热屏整体构型高度的2/3‑3/4，其中，所述热屏最底部所在水平面距离熔体表面的距离为40‑50mm；还包括：在晶棒生长的整个等径阶段，采用以下协同优化的工艺参数：炉压设定为1‑3Torr；氩气流量设定为110‑150slm；拉速设定为0.7‑0.9mm/min；晶棒转速与坩埚转速的比值为2.5：1‑3：1；晶棒生长过程中，随着熔体表面的下降，加热器功率以晶棒每生长100mm降低0.5%的速率线性衰减。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息384条，此外企业还拥有行政许可25个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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