国家知识产权局信息显示,微芯片技术股份有限公司申请一项名为“晶体管及其制造方法”的专利,公开号CN121986569A,申请日期为2024年6月。
专利摘要显示,一种晶体管,该晶体管可以包括衬底、形成于衬底内在衬底的第一侧处的漏极层。第一阱注入具有第一注入深度,第二阱注入具有第二注入深度,并且第三阱注入具有第三注入深度。第一阱注入、第二阱注入和第三阱注入形成于衬底内在衬底的第二侧处。第二注入深度大于第一注入深度,并且第三注入深度大于第二注入深度。栅极形成于衬底的第二侧处。栅极与第一阱注入重叠第一距离,栅极与第二阱注入重叠第二距离,并且栅极与第三阱注入重叠第三距离。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.