北京
国家知识产权局信息显示，基本半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种碳化硅功率模块的失效分析方法”的专利，公开号CN121955655A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率模块的失效分析方法，包括：对碳化硅功率模块进行预处理，以暴露碳化硅功率模的待分析的芯片区域；在芯片的正面及侧面固化包覆成型保护体，并对芯片的电极端子进行引线处理；从芯片的背面对其承载结构进行逐层减薄与抛光，直至暴露出芯片的碳化硅衬底并形成适于光学观测与电学接触的背面处理面；通过背面处理面对芯片进行电学测试和/或光学缺陷定位。本发明有效地实现对灌胶封装碳化硅功率模块芯片背面的稳定暴露与处理，从而支持通过背面光学观测进行缺陷精确定位，并在确保芯片结构完整与电性能稳定的前提下完成高压电学测试。
天眼查资料显示，基本半导体（无锡）有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45000万人民币。通过天眼查大数据分析，基本半导体（无锡）有限公司参与招投标项目10次，专利信息41条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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