北京
国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“高导热率碳化硅单晶衬底及其制备方法与应用”的专利，公开号CN121951702A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种高导热率碳化硅单晶衬底及其制备方法与应用，通过优化原料纯度、改进热场设计、调控生长动力学参数及后处理工艺，有效抑制杂质引入与缺陷形成，实现接近理论极限的热导性能。同时，本发明还提供该高导热SiC衬底的可控制备方法及其在先进电子封装中的应用，利用其超高热导率和与半导体芯片相匹配的低热膨胀系数，该衬底作为高功率密度电子封装中的关键散热与承载材料，适用于制造中介层、热扩散层、芯片承载衬底或封装集成基板等，能够有效解决高功率密度芯片（如高性能计算芯片、功率模块等）的散热与可靠性问题。
天眼查资料显示，江苏超芯星半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1565.4879万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏超芯星半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息44条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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