北京
国家知识产权局信息显示，北京芯力技术创新中心有限公司申请一项名为“用于临时键合结构的载体晶圆去除方法及半导体器件”的专利，公开号CN121969049A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明提供了一种用于临时键合结构的载体晶圆去除方法及半导体器件。解决了现有技术存在的刻蚀均匀性差、易损伤器件、良率低等问题。去除方法包括：对与器件晶圆临时键合的硅载体晶圆进行机械研磨，将其减薄至第一厚度；在减薄后的硅载体晶圆表面形成图案化的掩蔽层；以所述掩蔽层为阻挡层，对暴露的硅进行干法刻蚀，直至刻蚀至硅与下方介电层的界面；在干法刻蚀过程中，对未被掩蔽层覆盖区域的硅底部进行侧向刻蚀；进行化学机械抛光工艺，抛光介电层表面。利用本发明，实现了低应力剥离与表面平坦化，避免了腐蚀性和均匀性问题，显著提高了工艺效率和良率，适用于对表面质量和工艺控制要求极高的3D集成制造流程。
天眼查资料显示，北京芯力技术创新中心有限公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本65051.5464万人民币。通过天眼查大数据分析，北京芯力技术创新中心有限公司参与招投标项目456次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可59个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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