台积电扩产，太猛了

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在担任现职之前，侯博士（Cliff Hou）曾担任多个重要领导职务。他于2011年至2018年担任设计与技术平台副总裁，并于2018年8月起担任技术开发副总裁。在其职业生涯早期，即1997年至2007年，他创建了台积电的技术设计套件和参考流程开发机构，为其设计支持体系奠定了基础。

过去十年间，侯博士在台积电开放创新平台（OIP）的建设中发挥了关键作用，该平台已发展成为全球半导体行业最全面的设计生态系统之一。他在参考流程和面向制造的设计（DFM）方面的工作显著降低了集成电路设计的门槛，并提高了客户的使用便利性。

为表彰他的贡献，侯博士于 2010 年荣获国家经理人卓越奖。他还带领台积电的 OIP 项目团队于 2011 年荣获台湾经济部颁发的国家产业创新奖。

加入台积电之前，侯博士曾在工业技术研究院（工研院/中控中心）担任设计环境部门主管，并曾任义守大学（原高雄理工大学）副教授。

侯博士拥有44项美国专利，并担任环球优尼芯片公司董事。他本科毕业于国立交通大学控制工程专业，并在雪城大学获得电气与计算机工程博士学位。

Cliff 的演讲概述了台积电在过去一年中在半导体制造领域取得的重大进展和成就，重点介绍了技术进步、产能扩张、先进封装、全球布局和可持续发展举措。

2025年，台积电在尖端技术和产能方面均取得了显著进展。公司最先进的制程节点TSMC N2已实现量产。尽管与前几代相比，其复杂性有所增加，但台积电已实现了良率的显著提升，展现了其卓越的制造能力。采用背面供电的下一代制程节点TSMC N2的研发工作也进展顺利，正按计划推进。

台积电在汽车技术领域也取得了显著进展，其N3A制程节点现已量产，能够满足严格的质量要求。在包括3nm、5nm和7nm在内的所有先进制程节点上，台积电持续提升性能和可靠性，以支持广泛的应用。此外，台积电正积极拓展其先进封装技术，以满足高性能计算（HPC）和人工智能（AI）应用日益增长的需求。

其中一大亮点是2nm制程产能的快速扩张。台积电在一年内启动了五期2nm晶圆厂的建设，速度前所未有。因此，预计2nm制程第一年的产量将比上一代3nm制程高出45%。展望未来，该公司计划在2026年至2028年间将2nm制程产能进一步提升约70%。与此同时，预计3nm和5nm制程的总产能将在未来几年内稳步增长约25%。

为了应对新建晶圆厂的时间限制，台积电正利用人工智能和数字化转型来优化现有设施。人工智能驱动的系统能够改进排产、提高设备效率并优化工艺流程，从而提高产能并缩短生产周期。生成式人工智能还用于微调工艺参数，而数据分析则有助于最大限度地减少停机时间并提高设备利用率。这些创新使台积电能够在新建晶圆厂的同时，从现有产能中挖掘出更大的生产力。

人工智能和高性能计算应用的需求是推动增长的关键因素。预计从2022年到2026年，用于人工智能加速器的晶圆出货量将增长11倍。值得注意的是，大面积芯片（超过500平方毫米）也呈现强劲增长，出货量增长了6倍。台积电凭借其在多代产品中积累的经验，即使对于这些复杂的芯片设计，也能持续提升良率并降低缺陷密度。

除了前沿技术，台积电还持续投资于成熟工艺节点，包括射频、高压、模拟、嵌入式存储器和图像传感器等特殊工艺。公司旨在保持在该领域的领先地位，同时以稳健的战略方式扩大产能。

在先进封装领域，台积电正不断突破3D集成技术的界限，例如CoWoS和SoIC。这些技术对于实现基于芯片组的架构和高带宽存储器集成至关重要。公司已将CoWoS和SoIC的研发到量产过渡时间分别缩短了30%和75%，从而帮助客户更快地将产品推向市场。与包括材料供应商和测试服务商在内的生态系统合作伙伴的协作，进一步提高了良率和生产效率。封装产能也在积极扩张，预计到2027年将保持显著增长。

台积电的全球扩张战略是另一项重点。该公司正以两倍的速度推进晶圆厂建设，计划在2025年和2026年每年新建或改建九个晶圆厂——是历史平均水平的两倍。此次扩张不仅限于台湾，还包括在美国、日本和德国的重大投资。

在亚利桑那州，台积电的首座晶圆厂已投产，其他阶段的晶圆厂正在建设中，目标是3纳米和2纳米等先进制程节点。该公司还在规划建设先进封装设施，并收购更多土地以支持长期发展。在日本，熊本晶圆厂已投产并正在扩建产能，同时第二座晶圆厂正在建设中，其重点将转向3纳米技术。在德国，德累斯顿一座新的晶圆厂正在建设中，目标应用领域为汽车和工业领域。在这些地区，台积电已展现出复制与其台湾业务相当的高良率的能力。

可持续发展和绿色制造是台积电长期愿景的核心。公司目标是到2050年实现净零碳排放，仅在2025年就已减排380万吨。资源回收利用是另一项重点工作，目标是到2030年实现70%的内部回收利用率和高达98%的整体回收利用率。水资源管理举措的目标是到2040年代实现100%的水资源正效益，目前通过再生水利用和节水措施已取得显著进展。

总而言之，台积电正积极推进半导体技术发展，同时扩大产能以满足不断增长的需求，尤其是在人工智能和高性能计算领域。通过制造、封装和人工智能驱动的优化方面的创新，以及全球扩张和可持续发展承诺，该公司正努力巩固其在未来数年内继续引领半导体行业的地位。

台积电2026技术研讨会

台积电上周在其北美技术研讨会上宣布了三项新的先进工艺技术 A13、A12 和 N2U，作为其最新先进技术路线图的一部分。

与去年技术研讨会上展示的路线图相比，新的路线图以金色文字显示了三项新的工艺技术。

为了更好地理解这三者，N2是台积电首个采用NanoFlex工艺的制程节点，而A16将是台积电首个采用超强电源轨（SPR）背面供电技术的制程节点。N2现已投产，台积电声称该工艺的客户接受度是迄今为止最高的，目前已收到超过20份客户流片，另有70多份正在流片中。我们预计N2很快就能带来收益。

台积电的A14采用其NanoFlex Pro技术，计划于2028年上市。A13是A14的直接缩小版，面积缩小了6%，并且其设计规则与A14完全向下兼容。A13计划于2029年上市，同时上市的还有A12，它是A14平台的增强版，采用了SPR技术。下图2展示了N2U相对于N2P的改进之处，N2U计划于2028年投产。

图 3 展示了去年台积电技术研讨会上的 PPA 对比数据。A14 的数据今年再次发布，没有任何变化。A16 此前曾宣传将于 2026 年底量产，但图 1 现在显示为 2027 年。A12 的发布日期定于 2029 年，这标志着台积电在交付新工艺节点方面迈出了积极的步伐。台积电还声称，N2 在缺陷密度降低方面比 N3 表现更好。考虑到 N3 是最后一个 FinFET 节点，而 N2 是第一个 NanoFlex 节点，这一结果令人印象深刻。

对先进封装技术的需求非常旺盛，这主要受人工智能计算扩展需求的驱动。台积电正在生产全球最大的5.5mm光罩尺寸CoWoS封装，预计2026年良率将超过98%。图4展示了CoWoS和SoW支持到2029年的路线图，其中SoW-X预计可容纳64个HBM堆叠。如果我们预期到2029年HBM堆叠容量将达到64GB，那么SoW-X上的总HBM容量将达到4TB。

另一项实现人工智能系统扩展的重要技术是共封装光学器件。台积电的紧凑型通用光子引擎（COUPE）将光信号传输更靠近芯片，从而提高了能效并降低了延迟。下图5展示了COUPE在CPO技术上的应用发展路线图。

台积电于4月16日举行了2026年第一季度财报电话会议。下图6至图10显示了人工智能/高性能计算（AI/HPC）对营收的巨大影响，以及它如何取代智能手机成为台积电最大的营收来源。图10还显示，N7、N5和N3的营收占比在过去六个季度中保持稳定。随着更多成品晶圆的交付，N2将如何影响这些占比，值得我们关注。

（来源：编译自semiwiki）

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