海力士官宣：HBM关键技术突破！

韩国存储厂商SK 海力士宣布，其应用于高带宽内存（HBM）模组的混合键合封装技术良率已实现提升。混合键合技术可让存储芯片厂商无需借助微凸点，即可完成存储晶圆层间的键合连接。这种直接接触的互联方式能够降低发热，进而实现更高传输速率与更优能效表现。据韩国媒体《The Elec》报道，海力士技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）在韩国举办的超越 HBM—— 先进封装核心技术：从下一代基板到模组行业会议上，公布了这一技术进展。

全新封装技术将落地下一代 HBM4 内存芯片

高带宽内存通过多层存储裸片垂直堆叠，再进行整体封装制成。传统堆叠方案普遍依靠微凸点实现裸片互联，目前主流 HBM 产品多为 8 层、12 层堆叠设计。

为进一步提升传输速度、性能与单颗容量，HBM4、HBM5 等下一代内存模组需要堆叠更多晶圆层；同时，受限于设备空间要求，封装整体尺寸必须严格控制。在此背景下，混合键合技术去除了裸片之间的微凸点结构，让厂商能够在同等封装体积内，实现更多晶圆层的高密度堆叠。

海力士官宣，标志 HBM 市场取得关键技术突破

据《The Elec》消息，海力士技术高管金钟勋于首尔这场封装技术峰会上透露，公司已成功完成12 层裸片堆叠HBM的混合键合工艺验证。他补充表示：“目前我们正全力提升工艺良率，使其达到大规模量产标准。具体良率数值暂无法公开，但整体量产筹备进度较以往大幅提速。”

混合键合量产落地前，海力士持续迭代高端底部填充工艺

在混合键合技术量产商用之前，海力士将继续沿用大规模回流成型底部填充工艺（MR-MUF）。该工艺与混合键合的目标一致，均以缩小裸片间隙为核心优化方向，但区别在于：MR-MUF 方案仍保留铜质微凸点互联结构，通过整体加热堆叠组件，再以底部填充胶填充裸片间隙，实现结构加固与性能优化。

HBM 内存虽主要面向企业级计算与高端算力负载场景，但混合键合带来的性能升级，同样会为消费级产品带来增益。不过受全球数据中心海量需求驱动，HBM 芯片将长期面临高价、供货紧缺的现状，行业产能与工艺瓶颈仍将持续存在。

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