北京
国家知识产权局信息显示，天津久日半导体材料有限公司申请一项名为“一种三酚甲烷类化合物的高选择性制备方法”的专利，公开号CN121930079A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请的实施例提供了一种三酚甲烷类化合物的高选择性制备方法，合成路线包括（1）采用酰氯或者酸酐作为酰化试剂，与（取代）羟基苯甲醛中的羟基发生酰化反应制备相应的O‑酰化（取代）羟基苯甲醛化合物；（2）将O‑酰化（取代）羟基苯甲醛化合物在Brønsted酸催化下与酚类化合物反应，高选择性地制得一个羟基被酰基保护的三酚甲烷化合物；（3）将一个羟基被酰基保护的三酚甲烷化合物进行碱水解制备得到目标三酚甲烷类化合物。本申请的实施例的制备方法合理利用了酰基作为保护基团，通过酰基保护的（取代）羟基苯甲醛与酚类化合物进行双Friedel‑Crafts烷基化反应，有效地提高了制备的化学选择性，至少能够避免副产物的生成，提高目标产品纯度。
天眼查资料显示，天津久日半导体材料有限公司，成立于2021年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万。通过天眼查大数据分析，天津久日半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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