北京
国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种具有重掺杂空穴阻挡层的双波长发光二极管外延结构”的专利，公开号CN121941167A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有重掺杂空穴阻挡层的双波长发光二极管外延结构。该结构在第一多量子阱层与第二多量子阱层之间直接生长一层厚度为20nm至50nm的重掺杂硅空穴阻挡层。该阻挡层利用高浓度掺杂形成的势垒阻挡空穴注入第一多量子阱层，使其在器件工作时主要处于光致发光模式，而上层的第二多量子阱层处于电致发光模式。极薄的层间距实现了蓝光对绿光的高效近场激发，显著增强了绿光发光强度和器件整体亮度。此外，该结构省略了传统的微米级厚隔离层，有效缩短了外延生长时间，降低了制造成本。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息240条，此外企业还拥有行政许可43个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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