芯片国家队宣布：国产28nm光刻机进入测试阶段，推动自主芯片突破

前沿导读

王阳元、赵晋荣、陈南翔、魏少军等中国半导体产业领军人在科技导报上面发布了《构建自主可控的集成电路产业体系》报告，据报告内容指出，制造设备作为半导体行业的核心支柱，近年来在自主可控与国产替代的大背景下，本土化趋势愈发明显。

中微半导体制造的先进刻蚀机，已经进入到了台积电7nm及5nm生产线中。而中国的国产28nm光刻机（ArF，Immersion），也已经进入工艺测试阶段。

国产设备

这份产业报告总共有13位人员联名提议，这13位人员都是来自中国半导体产业的企业领导以及高校教授。

王阳元是中科院院士，同时也是中芯国际的联合创始人之一；陈南翔是长江存储董事长、中国第八届半导体协会理事长；刘伟平是中国EDA企业华大九天的董事长、中国半导体协会副理事长；赵晋荣是北方华创公司董事长、中国半导体协会副理事长；魏少军是清华大学微电子研究所教授、中国半导体协会副理事长，同时也是中国半导体产业的核心推动者与领军人物。

这些产业报告的联名作者，都是奋斗在中国半导体产业一线的人物，他们在报告当中所提出的建议以及对待产业发展的态度，也就代表了整个中国半导体产业的态度。

目前中国半导体产业对比刚被美国制裁的2018年，已经有了明显技术进步，但是在部分卡脖子环节仍然具备较大的追赶空间。

首先就是设计芯片的EDA软件工具，这个领域被新思、楷登、西门子三家公司掌控，这三家公司合计占全球总EDA市场的81%。而中国的国产EDA企业，例如华大九天、概论电子、广立微等企业，在EDA的销售市场中距离三家巨头还有很大距离。

2024年全球EDA的市场规模为117.9亿美元，新思、楷登、西门子三巨头的销售额分别为42.2亿、32.9亿、19.8亿美元，而华大九天的规模为1.56亿美元。

尽管与国际巨头相比差距较大，但是对于中国本土企业来说，已经取得了很不错的进步。华大九天的EDA工具已经进入到了中芯国际、紫光展锐、海思、京东方等公司的设计环节中，依靠国内企业的支持，华大九天已经挤进全球EDA企业第六名的好成绩。

然后就是重点被卡脖子的设备产业，中国企业在高端刻蚀机领域最先实现了技术突破，中微半导体的先进刻蚀机产品已经进入到台积电7nm及5nm的生产线中。这是目前已知的，唯一一个被全球顶级晶圆厂纳入先进供应链体系的大陆设备企业。

而大家最关注的国产光刻机产品，由上海微电子公司推出的28nm浸润式光刻机也已经进入工艺测试阶段，还未正式迈入商业化环节。

28nm浸润式光刻机，一般指的是可以制造28nm芯片，并且可以通过多重图案化技术制造更加先进节点的设备。ASML首台面向先进节点的28nm光刻机是NXT:1970i，该设备在2024年被美国实施出口管制，无法交付给中国大陆地区涉及先进晶圆制造业务的工厂。

其他配套的国产设备也已经在有序推进当中，拓荆科技的14nm沉积设备已进入大陆晶圆厂生产线，华海清科的晶圆减薄机也已进入规模化应用，而大陆地区最大的设备集团北方华创，也已经形成了从刻蚀到离子注入的全套设备布局，整个产业链都在推进国产设备的规模化应用。

未来目标

在《构建自主可控的集成电路产业体系》报告当中，作者们将未来重点攻关目标放在了EDA软件工具、国产EUV光刻机及配套材料、300mm大硅片这三点上面。

EDA工具常年被海外巨头统治，虽然国产EDA工具已实现应用，但在高端芯片的设计上面还有进步空间。

EUV光刻机是老生常谈的问题，也是美国针对中国半导体产业实施制裁的核心“武器”。ASML的EUV光刻机供应链来自于全球5100家企业，其零部件数量高达几十万个，ASML负责将所有零件拼凑在一起形成一个可以持续运行的主体。

报告指出，中国在EUV领域已经实现了多个子系统的技术突破，包括光源、晶圆台、对准系统等。下一步便是集中力量，创办一个属于中国人的ASML公司，将各领域的人才以及工程师聚集在一起，统一调度资源，共同完成国产EUV光刻机的突破。

在推动光刻机发展的同时，材料领域也要同步发展，光刻胶以及300mm大硅片（晶圆）是目前较为短板的材料。

300mm对应12英寸、200mm对应8英寸、150mm对应6英寸。

中国企业在6英寸晶圆领域已具备完全国产化能力，8英寸领域正在大规模国产化应用，国内市场份额接近70%。12英寸正在快速推进国产化能力，市场份额约为55%。

在光刻胶领域，南大光电已实现28nm节点ArF光刻胶的量产商用，公司2025年新增了三款ArF光刻胶产品通过客户验证并获得商业订单，其全年光刻胶收入已突破2000万元。

参考资料： 南大光电一季度业绩增长，将开股东大会，光刻胶业务获突破 https://m.eeo.com.cn/2026/0425/851720.shtml

晶瑞电子制造的G线光刻胶已实现30%的国内市占率，正在推进国产KrF光刻胶的国产化进度。

中国半导体领军人们所制定的发展目标，首先要继续夯实国产28nm及以上全产业链体系的自主可控，然后让国产14nm生产线稳定运行，紧接着初步完成国产7nm生产线的试运行，将国产供应链体系逐步渗透到商业化生产线中。