中欣晶圆申请EPI生产法相关专利，高生长速率EPI生产，多策略保障质量与效率

来源：新浪证券-红岸工作室

4月25日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种高生长速率的EPI生产方法”的专利。申请公布号为CN121915492A，申请号为CN202511982257.6，申请公布日期为2026年4月24日，申请日期为2025年12月25日，发明人赵博，专利代理机构杭州九洲专利事务所有限公司，专利代理师姚旺波，分类号C30B25/18、C30B25/16、C30B29/06、H10P14/24、H10P14/20。

专利摘要显示，本发明涉及半导体生产技术领域，尤其是一种高生长速率的EPI生产方法，包括S1、采用原位氢退火去除硅衬底表面氧化物并修复晶格缺陷；预加热阶段采用梯度升温策略，降低热应力导致的滑移线；S2、在化学气相沉积反应腔中，采用双气路注入系统：主气路：高流量SiH2Cl2与H2混合气体作为主要硅源；辅气路：微量SiH4与HCl抑制气相成核并调节表面反应活性；S3、采用双区温控反应腔：中心区为高温区，促进硅原子的快速沉积；边缘区为低温区，抑制边缘晶格畸变；反应腔压力控制在50‑100 Torr；S4、原位掺杂与实时监测：在生长过程中同步通入磷烷或乙硼烷，通过光发射谱实时监测掺杂浓度波动，反馈调节气体比例。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息451条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖2改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀3针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东4一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳5检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧6一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群7一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃8降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏9一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智10一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽11一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛12一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东13基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红14一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎15一种高生长速率的EPI生产方法发明专利公布CN202511982257.62025-12-25CN121915492A2026-04-24赵博16一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮17颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌18针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮19一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳20一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏21一种硅片加工的全流程中防崩边闭环系统及操作方法发明专利公布CN202511908263.72025-12-17CN121870571A2026-04-17胡磊22基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜23采用液相离子色谱仪分析硅片表面氯离子的前处理方法发明专利公布CN202511886281.X2025-12-15CN121805489A2026-04-07周桂丽、戴潮、代治立、周卫宏24基于硅片插片工序的静电消除与表面清洁系统及工艺发明专利公布CN202511886282.42025-12-15CN121869782A2026-04-17苏鹏辉25针对晶圆倒角的晶圆边缘加工系统及倒角工艺发明专利公布CN202511865282.62025-12-11CN121552186A2026-02-24黄炜霞26一种片盒包装的装载、检查系统及安装方法发明专利公布CN202511846572.62025-12-09CN121553472A2026-02-24王斌27一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法发明专利公布CN202511831114.52025-12-06CN121908853A2026-04-21郭体强、齐旭东28硅片V型槽抛光中心矫正的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816359.02025-12-04CN121572186A2026-02-27吴福壮29区分PV型与PI型硅片的方法发明专利公布CN202511816355.22025-12-04CN121888927A2026-04-17王烨华、康海洋30预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领31铬酸回收装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773554.X2025-11-28CN121700174A2026-03-20孙贵昌、方一栋32降低EPI过程应力突变造成长膜畸变量的系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511762935.82025-11-27CN121752000A2026-03-27李皓33用于高电阻硅片的在线式光学干涉平坦度测量方法发明专利公布CN202511730214.92025-11-24CN121677620A2026-03-17雷凇34APCVD背面污迹工艺的优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511730212.X2025-11-24CN121700360A2026-03-20吕进午35基于化学机械协同与多步应力管理的半导体硅片减薄工艺发明专利公布CN202511681766.52025-11-17CN121670511A2026-03-17何航党、高洪涛36外延后膜厚及滑移线的改善方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681767.X2025-11-17CN121712314A2026-03-20何珍碧37基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681610.72025-11-17CN121700371A2026-03-20吕进午38硅片少子寿命的RTP前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681768.42025-11-17CN121712321A2026-03-20罗国菁、李涛39一种半导体双面研磨机纳米级复合研磨粉及研磨液发明专利实质审查的生效、公布CN202511658494.72025-11-13CN121780129A2026-04-03何航党、高洪涛40基于调整LP成膜温度的CVD工艺优化晶圆翘曲的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652781.72025-11-12CN121712262A2026-03-20刘文涛、王骞玮41基于槽式清洗消除PIN印的硅片加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652782.12025-11-12CN121712282A2026-03-20郭天天42一种Ar炉氩气与氩氢混气工艺的切换设备及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511626278.42025-11-07CN121700151A2026-03-20平铁卫43改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617289.62025-11-06CN121374420A2026-01-23姚胜平44硅片小抛头的整组更换结构及其操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617287.72025-11-06CN121424229A2026-01-30陈彬45一种分析炉管清洗槽金属污染水平的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511581737.12025-10-31CN121298370A2026-01-09周桂丽、赵祥峰、戴潮、代治立、周卫宏46一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511586194.22025-10-31CN121427493A2026-01-30高威47一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511586213.12025-10-31CN121428520A2026-01-30赵祥峰48一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法和系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511586203.82025-10-31CN121443043A2026-01-30高威49流量校准的工具及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511577872.92025-10-31CN121521229A2026-02-13王方立50检测设备相机的散热系统及其运行方法发明专利公布CN202511577875.22025-10-31CN121559800A2026-02-24李君

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型基于第三方数据库自动发布，不代表新浪财经观点，任何在本文出现的信息均只作为参考，不构成个人投资建议。如有出入请以实际公告为准。如有疑问，请联系biz@staff.sina.com.cn。