北京
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国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“每列包含非整数平均数量的存储器开口填充结构的存储器设备”的专利，公开号CN121909747A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种存储器设备包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠沿着第一水平方向延伸，其中导电层包括字线和上覆于字线的漏极侧选择栅极电极；和存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构竖直延伸穿过交替堆叠。存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括存储器元件的竖直堆叠和竖直半导体沟道。存储器开口填充结构被布置成在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸的列。延伸穿过漏极侧选择栅极电极中的每个漏极侧选择栅极电极的每列存储器开口填充结构的平均数量是大于零的非整数。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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