北京
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储器及存储器的制备方法”的专利，公开号CN121908553A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本公开提供了一种存储器及存储器的制备方法，涉及半导体技术领域。该存储器包括：衬底，包括相邻分布的第一中心区和第二中心区，以及位于第一中心区和第二中心区之间的边缘区；第一存储阵列，位于第一中心区；第二存储阵列，位于第二中心区；第一选择晶体管，位于边缘区，第一选择晶体管的第一源极/漏极耦接第一存储阵列的第一字线；第二选择晶体管，位于边缘区，第二选择晶体管的第二源极/漏极耦接第二存储阵列的第二字线；接触插塞，位于边缘区，接触插塞耦接第一选择晶体管的第一漏极/源极和第二选择晶体管的第二漏极/源极。可减少器件内接触插塞的个数，降低器件的工艺难度，提高存储密度。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息271条，专利信息640条，此外企业还拥有行政许可39个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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