北京
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国家知识产权局信息显示，太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司;山西北大碳基薄膜电子研究院申请一项名为“一种三值源栅型晶体管及反相器”的专利，公开号CN121865789A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种三值源栅型晶体管，包括一衬底，在衬底上具有一第一介质层，在第一介质层与衬底相对的一面内具有一底栅；在第一介质层上具有一漏极和一扩展源极，漏极和扩展源极之间具有半导体沟道层，半导体沟道层上具有一第二介质层；扩展源极在水平方向上具有一扩展部，所述扩展部覆盖部分第二介质层。本发明提出的三值源栅晶体管能够持续观察到负微分跨导/电阻现象，具备了三种不同状态之间可靠切换的能力。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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