北京
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国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“用于隐藏数据的写入方法及读取方法及其存储器装置”的专利，公开号CN121858023A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种用于在存储器装置中隐藏数据的写入方法、读取方法及其存储器装置。存储器装置可为具备高容量及高性能的立体NAND闪存。写入方法包括：提供存储器区块，每个存储单元包括擦除状态及多个潜在状态，每个潜在状态包括第一子潜在状态和第二子潜在状态；执行第一编程操作，以将特定页中第一部分的阈值电压移动至第一子潜在状态；以及，执行第二编程操作，以将特定页中第二部分的阈值电压移动至第二子潜在状态。第一编程操作包括：施加第一通过电压至第一页的第一字线，其中第一页与特定页的一侧相邻；以及，施加第二通过电压至第二页的第二字线，其中第二页与特定页的另一侧相邻。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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