AI驱动存储需求爆发，供需缺口推涨价格，科创芯片ETF博时(588990)涨近3%，强势冲击7连涨

截至2026年4月14日10:49，上证科创板芯片指数(000685)强势上涨3.00%，成分股佰维存储上涨14.47%，富创精密上涨10.66%，中科飞测上涨6.69%，华峰测控，联芸科技等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨2.86%，冲击7连涨。最新价报2.77元。拉长时间看，截至2026年4月13日，科创芯片ETF博时近1周累计上涨11.95%。

流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手3.56%，成交1872.63万元。拉长时间看，截至4月13日，科创芯片ETF博时近1年日均成交5828.93万元。

消息方面，行业基本面迎来强劲验证。香农芯创、德明利多家存储芯片企业Q1业绩亮眼，与此同时，“算力通胀”正从预期变为商业现实，并迅速向全产业链扩散。国内云服务巨头阿里云、百度智能云、腾讯云已集体加入涨价队列，AI算力正式成为稀缺性战略资源。

此外，昨夜美股存储板块闪迪大涨11.83%，再创历史新高。据TrendForce预测，2026年第二季度同样在AI、数据中心需求主导和部分终端应用场景产品供给紧缩的推动下，一般型DRAM合约价格和NANDFlash合约价格将延续增长态势，分别季增58-63%和70-75%。此前，TrendForce认为2026年第一季度存储器价格将迎来大幅上涨的核心原因同样是供给不足与需求旺盛共同作用。

国金证券表示，AI技术迭代引爆存储需求，供需缺口推升价格中枢。大模型向思维链（CoT）机制及多模态演进，推动数据吞吐量指数级跃升，直接拉动高性能存储需求。供给端，海外原厂（三星、SK海力士等）执行严格控产策略，HBM及先进DRAM产能被锁定，导致常规存储市场面临显著供需缺口。根据TrendForce的预计，在AI对存储需求的激增与原厂控产的双重作用下，NAND及DRAM价格持续上行。

科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年3月31日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为中芯国际、海光信息、寒武纪、澜起科技、中微公司、芯原股份、佰维存储、拓荆科技、源杰科技、华虹公司，前十大权重股合计占比60.99%。

科创芯片ETF博时(588990)，场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A：022725；博时上证科创板芯片ETF发起式联接C：022726)。

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