上海
在这次内存与存储涨价大潮中，内存方面领涨的产品是高带宽内存（HBM），存储方面领涨的产品则是NAND闪存。那么NAND闪存能像HBM那样堆叠起来，提供更大的存储容量吗？能的，这项技术就是闪迪在去年2月发布的高带宽闪存（HBF）。
据韩媒Etnews报道，闪迪已经在着手准备生产HBF的材料、组件和设备供应链，并搭建生产线。
有业内高层人士表示，闪迪正与相关企业接洽合作事宜，计划于下半年引进主要生产设备，并称部分企业已开始商讨采购订单（PO）事宜。预计在同样今年下半年完成试产线的建设、年底前投入运行并推出原型产品，明年实现量产，而产线的热门候选地之一是日本。
HBF的核心原理与HBM相似，都是通过堆叠16个3D NAND闪存芯片的方式来实现更大的容量和更强的性能，以此助力AI计算的发展。得益于总体一致的技术，HBF有望媲美HBM的带宽性能。
在HBF技术路线图上显示，初代HBF的系统级性能与“无限容量版”的HBM的差距在2.2%以内，读取带宽达1.6TB/s。而后续的2代、3代产品的读取带宽将达到2TB/s和3.2TB/s，对应的单叠层容量、能效都有进一步提升。
当下，闪迪、SK海力士、三星等各大存储生产商陆续投身HBF研发，市场正在关注HBF的性能能否与炙手可热的HBM相媲美。
由于HBM和HBF的制造工艺没有显著差异，所以产线的搭建过程也非常快。业内人士表示，目前在HBM市场占据领先地位的三星电子和SK海力士，很可能会将整套工艺改造后直接转产HBF。其中，SK海力士是闪迪推进HBF标准化的合作方，而三星则凭着自己的实力选择了单打独斗。
对于这个新技术催生出的产品，韩国科学技术院（KAIST）的金正浩教授预测，HBF的市场规模将在2038年超过HBM，前景可观。
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