北京
国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种紫外发光二极管用AlN衬底的V型坑开槽方法、AlN衬底及紫外发光二极管”的专利，公开号CN121843290A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种紫外发光二极管用AlN衬底的V型坑开槽方法、AlN衬底及紫外发光二极管。该方法具体包括：将AlN籽晶固定于耐高温托盘上并置于物理气相传输生长炉的坩埚内；在抽真空并充入保护气体后，对生长炉进行变温循环退火处理，控制温度在第一高温区间和第二低温区间之间交替升降并保持预定时间，利用高温环境下的热腐蚀机制在AlN籽晶表面原位形成V型凹坑。本发明利用高温热蚀刻在化学性质稳定的AlN表面成功制备出微纳结构；所述V型凹坑能够有效释放后续生长的外延层与衬底间的晶格失配应力，降低位错密度，同时改变光的传播路径，破坏全反射条件，显著提高AlN基紫外LED的光提取效率和内量子效率。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目43次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息238条，此外企业还拥有行政许可42个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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