美国MATCH法案：都因为盟友办事不力，让中国趁机买到先进设备

前沿导读

据科技日报发布新闻指出，美国议员提出的MATCH法案在多个维度全面升级对中国芯片产业的制裁打压。

其核心推动者查克·舒默以及约翰·穆勒纳尔认为，此前美国的制裁措施要比盟友国更加严格，这导致中国企业趁机大量采购盟友国企业的先进制造设备。MATCH法案将会对盟友国提出管制要求，荷兰、日本等国需要在150天内对齐美国的出口管制标准，不然美国将会对盟友国的企业动用“外国直接产品规则”，强制性叫停具有美国技术的设备出口。

参考资料：

• https://mp.weixin.qq.com/s/xgpckjBuMUDqT1V4fIgqgw

四条规定

MATCH法案包含以下四条规定：

1、确定相关国家企业无法自主制造的半导体设备清单。

2、禁止向相关国家继续提供制造设备和相关技术，对此前已出售的设备实施售后方面的限制。

3、将中芯国际、华虹集团、长鑫存储、长江存储、华为这5家中国企业所需的所有芯片设备列入受管制清单中。

4、确保出口管制的统一性，要求盟友国在150天内对其美国的出口管制标准，否则美国将启动“外国直接产品规则”。

此次法案来势汹汹，不但将5家中国科技巨头划入全面出口管制的清单当中，而且还要求盟友国在150天内把出口管制标准与美国对齐，对中国企业实施更加全面的出口管制。

在这5家中国企业当中，中芯国际与华虹集团是晶圆制造工厂，并且这两家是中国大陆地区规模最大、技术储备最足、资源投入最多的本土晶圆厂，可以代表中国大陆地区最先进的芯片制造技术。

而长鑫存储与长江存储则是中国最大的两家存储芯片制造商，长鑫存储负责DRAM内存制造，长江存储负责NAND闪存制造。这两家存储芯片制造商均已经掌握了较为先进的自主技术，大幅度缩短了与国际企业的技术差距，而且依靠国内手机品牌的支持，两家企业均实现了自主芯片的商业化发展。

华为则是美国制裁清单的“老用户”，从2018年开始，美国就一直在对华为进行限制，先禁止华为使用美国供应链设计芯片，随后又禁止台积电给华为代工芯片，最后则是切断国际供应链与华为的合作。

虽然华为只是一个民营企业，但是其横跨了通讯、芯片设计、终端产品销售等多个业务板块，甚至还布局自主操作系统与ai产业。从产业规模上面来看，华为有一种“中国版英特尔”的发展趋势。

这5家企业分别代表了中国在晶圆制造、存储芯片制造、芯片设计这3个领域中的门面，MATCH法案对这几家中国门面企业实施完全体的出口管制，相当于给中国半导体产业的“七寸”位置来了一拳，危机感十足。

法案影响

此前美国制定的出口管制都是有明确的技术标准，比如禁止那些制造18nm DRAM内存芯片、14nm及以下逻辑芯片、128层及以上NAND闪存芯片所需的设备出口。

这些制裁标准都是卡在了先进芯片与成熟芯片的分界点，只是限制了中国企业先进芯片的发展，并没有限制中国企业继续采购制造成熟芯片所需的设备。

而此次MATCH法案则是将制裁范围从当初的先进节点扩大至成熟节点，以上5家中国企业无论是发展先进芯片还是发展成熟芯片，均不允许继续采购海外的制造设备。

法案重点针对的进口设备有两个，一个是老生常谈的ASML光刻机，另一个是日本东京电子制造的刻蚀机。

ASML虽然总部位于欧洲荷兰，但是其背后与美国资本高度绑定。

1997年，ASML加入美国政府和英特尔主导的EUV LLC技术联盟，攻克EUV制造技术。

2001年，ASML收购美国硅谷集团，将美国的光刻机技术纳入麾下。

2013年，在韩国公平交易委员会、日本公平交易委员会、美国司法部的共同批准下，ASML收购了光源供应商美国Cymer公司。

Cymer是ASML DUV光刻机和EUV光刻机的独家光源供应商，虽然ASML是一家欧洲企业，但是其制造光刻机所需的技术零件与美国资本深度融合，这也是美国可以对荷兰政府施压，禁止ASML出口给中国光刻机的主要原因。

而日本东京电子对华出口的重点设备是搭配光刻机使用的刻蚀机，尤其是低温刻蚀机设备。

低温刻蚀机可以搭配特定的光刻胶材料实现更加优秀的高深宽比结构，被广泛应用于制造高堆叠层数的3D NAND闪存芯片。该设备可以实现400层甚至是1000层的闪存颗粒堆叠，其制造效率要比传统刻蚀机提高了2倍-4倍左右。

低温刻蚀机主要的应用场景就是提升闪存芯片的制造效率，同时继续提升闪存芯片的颗粒堆叠密度，以实现更高水平的存储速率。SK海力士、三星、铠侠等日本存储器制造商，均已经开始使用东京电子的低温刻蚀机对下一代3D NAND闪存芯片进行技术评估。

低温刻蚀机属于是面向未来的产业设备，含金量相当于中国企业在2018年采购的EUV光刻机，也是美国此次MATCH法案重点针对的设备。

MATCH法案还要求分析中国自主设备的发展情况，将中国企业可以自主制造以及无法自主制造的设备罗列出来。对于中国企业可以制造出来的自主可控设备，美国政府不对同类型的海外设备实施管制，而那些中国企业暂时无法制造的设备，美国政府则会大力限制。

在上个月结束的上海半导体展会当中，许多中国企业均在展会中亮出了自家推出的自主芯片设备。只有少部分国产设备达到了国际先进水平，支持5nm节点的芯片制造，大部分设备的技术水平处于中端层面，正在向高端设备进发。

国产设备可以满足28nm及以上节点的芯片制造，而14nm及以下芯片需要海外设备的辅助，这也让部分欧洲企业以及日本企业从中获利。

此次MATCH法案强迫盟友国家的企业对齐美国的管制标准，这必然会让那些依靠中国市场获得经济增长的企业遭到严重损失，从而影响全球产业链彼此依赖的合作关系。