晶合集成申请掩模标记法相关专利，实现掩模板对准、误差监控及套刻误差精准检测

来源：新浪证券-红岸工作室

4月11日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“掩模标记及生成方法、光刻方法、套刻误差的测量方法”的专利。申请公布号为CN121832192A，申请号为CN202610282910.6，申请公布日期为2026年4月10日，申请日期为2026年3月10日，发明人门莹莹、黄玉、周立早，专利代理机构上海思微知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师宋艳，分类号G03F1/42、G03F7/20。

专利摘要显示，本发明提供一种掩模标记及生成方法、光刻方法、套刻误差的测量方法。其中，所述掩模标记中的第一图案可用于实现不同掩模板之间的位置对准，以避免放置误差影响套刻误差的检测精准度，避免系统性套刻误差。且通过获取不同掩模板中相同位置处的所述第一图案之间的偏差，还能够实现对掩模板的放置误差的精准监控。以及，在所述第一图案对准的基础上，利用所述第二图案可实现精准检测各个膜层与参考膜层之间的套刻误差，有利于优化光刻工艺效果，提高器件的性能及良率。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市。该公司注册地址及办公地址均涉及安徽省合肥市。其核心亮点为：国内领先的12英寸晶圆代工企业，拥有先进工艺技术，具备较强的技术壁垒和成本优势。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用行业先进工艺，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，所属概念板块包括大盘、沪股通、中盘股。

2025年，晶合集成营业收入为108.85亿元，行业排名3/4，与第一名中芯国际673.23亿元、第二名华虹公司172.91亿元相比有差距，低于行业平均数240.81亿元和中位数140.88亿元。主营业务构成中，集成电路晶圆制造代工103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排名3/4，与第一名中芯国际72.09亿元、第二名赛微电子13.88亿元相比差距明显，低于行业平均数20.64亿元和中位数9.27亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1半导体FDC卡控分群的异常识别方法及系统发明专利公布CN202610306246.42026-03-13CN121834632A2026-04-10李惠玉、简炜宸2一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610303309.02026-03-13CN121843514A2026-04-10卢俊玮3半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610296701.72026-03-12CN121843508A2026-04-10李猛猛、任大雅、魏巍、唐鹏飞4MIM电容结构及其制备方法发明专利公布CN202610296709.32026-03-12CN121843133A2026-04-10方婧媛、洪繁、谢荣源5用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法发明专利公布CN202610295345.72026-03-11CN121815782A2026-04-07张浩、董宗谕、卞亚飞6孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法发明专利公布CN202610290291.52026-03-11CN121843506A2026-04-10唐鹏飞、魏巍、李猛猛7电性参数预测模型的训练方法、预测方法和相关装置发明专利公布CN202610286061.12026-03-10CN121808745A2026-04-07马姣、邱茹蒙、吴文豪、陈健、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒、王仲盛8掩模标记及生成方法、光刻方法、套刻误差的测量方法发明专利公布CN202610282910.62026-03-10CN121832192A2026-04-10门莹莹、黄玉、周立早9晶圆键合对准补偿方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202610275407.82026-03-09CN121793825A2026-04-03伍德超、陈建松10一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法发明专利公布CN202610274800.52026-03-09CN121785058A2026-04-03赵志豪、李海峰、沈俊明11半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610276804.72026-03-09CN121843157A2026-04-10王文智、王仲盛12图像传感器及其形成方法发明专利公布CN202610268737.42026-03-06CN121793475A2026-04-03王志伟、都智、马忠祥、谢荣源13半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法发明专利公布CN202610267257.62026-03-06CN121793655A2026-04-03王文智14半导体器件版图设计装置以及半导体器件版图设计方法发明专利公布CN202610261372.22026-03-05CN121787361A2026-04-03大﨑秀史15一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610260995.82026-03-05CN121843156A2026-04-10李文超、杨智强、林子荏、张旭、俞洁16一种负偏压温度不稳定测试的测试执行方法发明专利公布CN202610256197.82026-03-04CN121763040A2026-03-31董琳、王仲盛、徐畅、林淯慈、毛辰辰17半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610256764.X2026-03-04CN121793665A2026-04-03刘苏涛、林士闵、聂林辉18半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法发明专利公布CN202610249024.32026-03-03CN121772328A2026-03-31王文智19半导体器件的制造方法和半导体器件发明专利公布CN202610252765.72026-03-03CN121772724A2026-03-31方小婷、陈冠中、吴明刚20一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610250050.82026-03-03CN121772275A2026-03-31宫本正文、石田浩21一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610245463.72026-03-02CN121752050A2026-03-27陈杨、张惠慧、刘然22半导体测试结构及测试方法发明专利公布CN202610243473.72026-03-02CN121741434A2026-03-27桑华煜、程洋、汪华23一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610243328.92026-03-02CN121752034A2026-03-27祝君龙、刘哲儒24一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构发明专利公布CN202610247747.X2026-03-02CN121772620A2026-03-31阮钢、运广涛、苏圣哲25一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610230677.72026-02-27CN121729066A2026-03-24盛云、高志杰、蔡宗佐、高佑琳26半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610226083.92026-02-26CN121728821A2026-03-24刘苏涛、林士闵27半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610227349.12026-02-26CN121752041A2026-03-27查鸿凯、程挚28自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610214878.82026-02-14CN121712261A2026-03-20赵西连、李婷、蒋倩文29一种结型场效应管及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610209966.92026-02-13CN121712070A2026-03-20刘凯、北口裕久30布线方法、装置、存储介质及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610210041.62026-02-13CN121706718A2026-03-20陈星、郭军31掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610212003.42026-02-13CN121742116A2026-03-27陶思友、巫振伟、汪雪春32表单生成方法、表单生成系统、存储介质及程序产品发明专利公布CN202610203763.92026-02-12CN121680850A2026-03-17杨昆、崔洁、陈云、许紫璇33一种抑制CIS暗电流的方法及CIS发明专利公布CN202610204137.12026-02-12CN121692822A2026-03-17陈铜、冯文辉34MOSFET电流模拟模型的构建、模拟方法及相关装置发明专利公布CN202610195676.32026-02-11CN121683668A2026-03-17姚子凤、柯天麒、张立涛35半导体器件的参数校准方法和制造方法发明专利公布CN202610197892.12026-02-11CN121683692A2026-03-17王磊、邓少鹏、汪文婷、刘波、魏港澳36方块电阻预测模型训练方法及方块电阻预测方法发明专利公布CN202610200279.02026-02-11CN121724086A2026-03-24许可、陈健、邱茹蒙、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒37一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610181967.72026-02-09CN121665627A2026-03-13刘洋、李琦琦38高雷击浪涌耐量的超高压结型场效应管器件及其制作方法发明专利公布CN202610182773.92026-02-09CN121692729A2026-03-17刘凯、北口裕久、王维安、程洋39一种键合结构及其制备方法发明专利公布CN202610180499.12026-02-09CN121693222A2026-03-17崔立加、余义祥、徐华超、王梦晴40MOSFET漏电流模拟模型的构建、模拟方法及设备发明专利公布CN202610170035.22026-02-06CN121659880A2026-03-13张立涛、方昕、张雅琳41半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164443.72026-02-05CN121665622A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉42半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164440.32026-02-05CN121665621A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉43掩模板、图形形成方法及半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610149919.X2026-02-03CN121634685A2026-03-10桑华煜、汪华、程洋、代海坡44一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610140150.52026-02-02CN121619943A2026-03-06王奎旭、胡薇、沈磊、高志杰、李涛45一种掩模版的版图获取方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610140395.82026-02-02CN121613673A2026-03-06刘秀梅、罗招龙46寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610142878.12026-02-02CN121619876A2026-03-06蔡承佑、丁美平、陆莹莹、宋伟政、石伟47半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610142832.X2026-02-02CN121619891A2026-03-06李亮、高珊、张劲48一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610132362.92026-01-30CN121604535A2026-03-03张振、刘哲儒、林豫立49一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610130109.X2026-01-30CN121604493A2026-03-03朱丁盛、胡琪、秦绪威50集成电路的电阻检查方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610129702.22026-01-30CN121615587A2026-03-06陈星

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