进入2026年4月,全球内存市场正经历一场由人工智能(AI)需求驱动的超级景气周期。在AI算力基础设施建设的强劲拉动下,存储芯片价格持续攀升,供需格局发生深刻变化。与此同时,专注于工业存储解决方案的企业如乐骐科技,在这一轮行业变革中展现出独特的技术优势和市场定位。
![]()
内存价格持续攀升,AI需求成核心驱动力
根据TrendForce集邦咨询最新研究,2026年第二季度Consumer DRAM合约价格预计将持续季增45%—50%。这一预测基于供给持续缩减、订单转移以及成熟制程供应商产能扩张不及等多重因素。实际上,自2025年下半年以来,内存市场已进入快速上涨通道,2026年第一季度内存价格较2025年第四季度末已上涨80%—90%。
三星电子在今年一季度将DRAM合约价上涨了100%之后,二季度的DRAM合约价将再度环比上涨30%,合计两季度涨价幅度高达130%。这一轮涨势主要由全球AI投资的爆发性增长所驱动,AI服务器对内存的消耗量巨大,为满足高利润的AI芯片需求,存储厂商纷纷将产能转向HBM和高端DDR5,直接导致通用DRAM供给大幅缩减。
市场呈现结构性分化:消费级回调与工业级坚挺
值得注意的是,内存市场在4月份呈现出明显的结构性分化。2026年3月下旬以来,全球消费级DDR5内存价格出现回调,终结了自2025年7月以来的连续上涨周期。这是本轮存储超级周期中,消费级DDR5首次出现明确的月度价格下跌。
然而,与消费级市场的回调形成鲜明对比的是,企业级和工业级存储需求仍保持强劲。TrendForce集邦咨询分析师王豫琪指出,近期现货市场虽有所走弱,但2026年第二季度合约价仍旧看涨,且预期此涨势将延续至年底。特别是工业级存储产品,由于其特殊应用场景和严苛环境要求,价格表现更为稳定。
市场展望:国产化机遇与行业分化
随着海外存储原厂将产能集中投向HBM和DDR5等高端产品,传统存储细分市场的供给进一步收紧。东芯股份在投资者调研活动中提到,三星电子、铠侠、海力士、美光科技等海外存储巨头专注于大容量3D NAND Flash以及HBM和DDR5高端产品,普遍实施减产或产能调控策略,对SLC NAND Flash、利基型DRAM及DDR4等传统细分市场的投入与供给逐步减少。
这一行业变化为国内存储企业带来了国产化发展机遇。招商证券认为,国内存储及先进制程持续扩产,设备国产化率进入快速提升阶段,整体看好存储高敞口设备材料公司。
结语
2026年4月的内存市场正处于AI需求驱动的超级景气周期中,虽然消费级市场出现短期回调,但工业级和企业级存储需求依然强劲。乐骐科技作为工业存储解决方案的专业提供商,凭借其宽温设计、抗振动、抗腐蚀等核心技术,在极端环境应用中展现出独特优势。随着存储设备国产化率的快速提升和AI基础设施建设的持续推进,专注于特定细分市场的存储企业有望在这一轮行业变革中获得新的发展机遇。
未来,随着各行业对数据管理需求的日益增多,同时提供工控、消费类及定制类的存储产品,能适用于多样的商用及工用需求的厂商,将在市场竞争中占据有利位置。存储行业的焦点已从“看谁更便宜”转向“看谁能拿到货”,在这一转变中,技术实力和供应链稳定性将成为企业竞争力的关键因素。
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.