广东
近日，国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。
据介绍，原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强，被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而，晶格缺陷诱导的自发电子掺杂和费米能级钉扎效应，使现有二维半导体材料体系长期呈现N型材料多、P型材料少，以及N型材料性能好，P型材料性能差的结构性失衡问题。
针对上述问题，研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，实现了晶圆级、掺杂可调的单层WSi2N4（氮化钨硅）薄膜的可控生长。新的制备方法让二维材料的单晶区域尺寸达到了亚毫米级别，生长速率较已有文献报道值高出约1000倍。在晶体管性能方面，单层WSi2N4不仅空穴迁移率高、开态电流密度大，强度高、散热好，化学性质也很稳定，综合性能在同类二维材料中表现突出。
该研究结果表明，单层WSi2N4在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔的应用前景，有望为后摩尔芯片技术开辟新的途径。
来源：科技日报
化学气相沉积法生长单层WSi2N4半导体薄膜
单层WSi2N4场效应晶体管的电学性能
— 完 —
点击报名：
—— 芯榜 ——
芯榜成立于 2015 年，是半导体垂直领域的产业媒体与数字化服务平台。全网覆盖超 100 万垂直行业用户，核心提供专业榜单发布、原创访谈、产业报告、峰会活动及研究咨询等服务。已合作近千家半导体生态企业，联动多家基金公司与产业媒体，助力硬科技产业发展。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
