北京
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国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司申请一项名为“具有混合沟道的半导体装置”的专利，公开号CN121815690A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，一种具有混合沟道的半导体装置，其适合于在高操作电压(例如，2.5伏特到3.3伏特)下的可操作性。所述半导体装置包含：漏极；源极；沟道，其包括第一纳米片及第二纳米片；牺牲层，其安置在所述第一纳米片与所述第二纳米片之间；以及栅极，其环绕所述沟道形成。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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