北京
国家知识产权局信息显示，苏州微士创芯科技有限公司申请一项名为“带空腔结构的半导体衬底的制备方法及衬底”的专利，公开号CN121816039A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及一种带空腔结构的半导体衬底的制备方法及带空腔结构的半导体衬底，其中方法包括：提供支撑衬底和器件衬底，支撑衬底内形成有空腔结构；对器件衬底执行离子注入工艺，注入的离子为III-V族元素；执行键合工艺，以形成包括支撑衬底和器件衬底的键合结构；在不超过900℃的温度下对键合结构执行退火，以激活注入至器件衬底内的III-V族元素，并对键合结构的键合强度进行加固；执行减薄工艺，先去除底层，并以导电埋层作为停止层；再去除导电埋层；如此，分多步逐渐去除底层和导电埋层，避免器件衬底发生破损，并且可以将器件衬底减薄至5μm甚至更薄的厚度，且厚度均匀性改善至+/-5nm的水平。
天眼查资料显示，苏州微士创芯科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州微士创芯科技有限公司。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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