北京
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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“光检测装置和电子设备”的专利，公开号CN121816844A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种在抑制暗电流的产生的同时还能够抑制量子效率Qe的降低的光检测装置。具体地，所述光检测装置包括：半导体基板；以二维阵列状形成于所述半导体基板中的多个光电转换部；沟槽部，其形成于所述半导体基板中的位于所述光电转换部之间的区域中，且至少在背面侧具有开口；以及导体膜，其布置于所述沟槽部的内部，并且被施加有负偏置电压。而且，所述导体膜的作为位于背面侧的部分的第一部分包括：第一导体膜，其覆盖所述沟槽部的彼此面对的一对内壁面中的一个内壁面；及第二导体膜，其与所述第一导体膜分离且覆盖所述一对内壁面中的另一内壁面。所述导体膜的作为位于正面侧的部分的第二部分包括将所述沟槽部的内部闭塞的闭塞部。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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