广东
4月3日，法国微电子研究机构CEA-Leti与系统集成机构CEA-List今日共同宣布，已与力积电（PSMC）达成一项重大的战略合作。
合作将充分利用CEA-List在RISC-V架构的设计经验，以及CEA-Leti在硅光子技术领域的专业积累，将高带宽通信与高效能计算技术引入力积电成熟的3D堆叠和中介层平台，共同打造面向下一代人工智能系统的先进解决方案。
图片来源：CEA-Leti
目前，半导体行业正面临多重技术瓶颈，包括传统铜互连工艺的物理局限、日益紧缩的功耗限制，以及市场对灵活、可扩展计算架构的迫切渴求。通过集成用于节能数据传输的短距高带宽光链路，并结合可定制化的RISC-V处理器架构，三方的合作将有效解决这些挑战，并为高性能数据传输和计算架构开创全新模式。
CEA-List数字集成电路设计部门副主管指出，RISC-V正在凭借其开放性、灵活性和成本优势重塑处理器设计领域。其可定制化的特性使工业伙伴能够根据特定需求量身定制解决方案。此次合作将为客户提供一个既能满足性能指标、又能兼顾功耗效率的定制化计算平台。
CEA-Leti首席执行官表示，在此次合作中，Micro LED技术发挥着至关重要的作用。Micro LED将利用低功耗氮化镓LED方案显著提升光通信的吞吐能力。
图片来源：CEA-Leti
力积电首席技术官表示，此次合作通过引入高效的RISC-V计算IP和高带宽硅光子芯粒通信技术，大幅拓展了力积电3D堆叠和中介层技术的应用领域。通过结合法国CEA两大研究所的顶尖专长与力积电的制造技术，双方将共同为客户提供针对下一代人工智能应用的晶圆代工服务，助力AI产业的持续创新与发展。
LEDinside整理
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