北京
国家知识产权局信息显示，安徽微芯长江半导体材料有限公司申请一项名为“一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法”的专利，公开号CN121781279A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请涉及一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法技术领域，具体公开了一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法，旨在解决传统物理气相传输法扩径效率低、周期长、成本高且易产生多晶包裹与堆垛层错等缺陷的问题。该方法采用圆柱形碳化硅籽晶，将其C面完全遮蔽，强制气相组分沿环形输运气道定向输送至籽晶侧表面进行径向外延生长；所述输运气道由多孔石墨、TaC隔离件、TaC气道壁及TaC多孔板共同围合形成，通过精确控制各部件尺寸、孔隙结构及装配配合，实现气相传质路径的稳定与均匀。本申请通过采用上述技术方案，能够单次生长将晶体直径从150mm扩至310mm以上，显著提升扩径效率，同时有效抑制微管缺陷与多晶成核，获得高质量、大尺寸4H型单晶碳化硅，具备优异的产业化前景。
天眼查资料显示，安徽微芯长江半导体材料有限公司，成立于2020年，位于铜陵市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本89000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽微芯长江半导体材料有限公司参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息176条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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